丹东安顺微电子有限公司王研获国家专利权
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龙图腾网获悉丹东安顺微电子有限公司申请的专利一种半导体干法蚀刻设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224165069U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520530618.2，技术领域涉及：H10P72/00；该实用新型一种半导体干法蚀刻设备是由王研;李晓婉;孔玮设计研发完成，并于2025-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体干法蚀刻设备在说明书摘要公布了：本实用新型涉及干法蚀刻技术领域，且公开了一种半导体干法蚀刻设备，解决了背景技术中所提出的问题，包括蚀刻腔室，所述蚀刻腔室形成内腔，所述蚀刻腔室的侧壁上设有探测孔，所述探测孔的内壁设有支撑槽；透光密封件，设于所述探测孔内，并位于所述支撑槽内，以密封所述内腔；终点探测器，设于所述蚀刻腔室的侧壁外部，并与所述探测孔背离所述内腔的一端对接；防污结构，设于所述支撑槽内，可移动至所述探测孔中，以遮挡所述透光密封件；还包括气体清洁系统，与所述蚀刻腔室连通，用于在蚀刻过程中向所述探测孔区域吹扫清洁气体，本实用新型通过气体清洁系统有效防止污染物沉积在透光密封件上，确保探测器能够准确探测蚀刻终点。
本实用新型一种半导体干法蚀刻设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体干法蚀刻设备，包括： 蚀刻腔室1，所述蚀刻腔室1形成内腔，所述蚀刻腔室1的侧壁上设有探测孔101，所述探测孔101的内壁设有支撑槽102； 透光密封件2，设于所述探测孔101内，并位于所述支撑槽102内，以密封所述内腔； 终点探测器3，设于所述蚀刻腔室1的侧壁外部，并与所述探测孔101背离所述内腔的一端对接； 防污结构4，设于所述支撑槽102内，可移动至所述探测孔101中，以遮挡所述透光密封件2；其特征在于： 还包括气体清洁系统5，与所述蚀刻腔室1连通，用于在蚀刻过程中向所述探测孔101区域吹扫清洁气体，所述气体清洁系统5包括气体喷嘴501和供气源502，所述气体喷嘴501设置在探测孔101的周围，并与供气源502连接，以喷射清洁气体，防止污染物沉积在所述透光密封件2上。
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