江苏捷捷微电子股份有限公司陈英杰获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏捷捷微电子股份有限公司申请的专利一种纵向结构对称的双向可控硅获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224165045U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521202177.X，技术领域涉及：H10D18/80；该实用新型一种纵向结构对称的双向可控硅是由陈英杰设计研发完成，并于2025-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纵向结构对称的双向可控硅在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种纵向结构对称的双向可控硅，包括N‑型硅衬底，所述N‑型硅衬底包括N‑型硅衬底正面和N‑型硅衬底背面，所述N‑型硅衬底正面和所述N‑型硅衬底背面对称设置有正面P型短基区和背面P型短基区，所述正面P型短基区外侧设置有正面分压环，所述背面P型短基区外侧设置有背面分压环，所述正面分压环和所述背面分压环关于所述N‑型硅衬底对称设置于所述N‑型硅衬底正面和N‑型硅衬底背面；本实用新型结构简单，设计合理，正向断态电压均由正面P型短基区和正面分压环承担，反向断态电压由背面P型短基区和背面分压环承担，电压达到完全对称，无需穿通结构，可以大幅提高生产效率。
本实用新型一种纵向结构对称的双向可控硅在权利要求书中公布了：1.一种纵向结构对称的双向可控硅，包括N-型硅衬底1，其特征在于：所述N-型硅衬底1包括N-型硅衬底正面101和N-型硅衬底背面102，所述N-型硅衬底正面101和所述N-型硅衬底背面102对称设置有正面P型短基区2和背面P型短基区3，所述正面P型短基区2外侧设置有正面分压环4，所述背面P型短基区3外侧设置有背面分压环5，所述正面分压环4和所述背面分压环5关于所述N-型硅衬底1对称设置于所述N-型硅衬底正面101和N-型硅衬底背面102。
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