长鑫科技集团股份有限公司张明获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121548042B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610069717.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构的制作方法及半导体结构是由张明;石树斌;曹鹏程;王莎莎;刘明源设计研发完成，并于2026-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构包括衬底，衬底的连接区域包括垂直交替的第一绝缘层和半导体层；在连接区域用第二绝缘层替换部分半导体层；形成穿过第一绝缘层、第二绝缘层以及剩余的半导体层的接触插塞，接触插塞以不同的延伸深度分别延伸至相应的第二绝缘层；以剩余的半导体层为刻蚀停止层，移除部分第二绝缘层，在连接区域形成暴露阵列区域的端部和接触插塞的横向空间；在横向空间内形成电耦合水平字线和接触插塞的水平导线，水平导线抵靠剩余的半导体层。半导体层作为刻蚀停止层使刻蚀过程中横向空间的尺寸被限制，确保横向空间尺寸可控，进而使水平导线符合预期形状，减小寄生电容和额外功耗。
本发明授权一种半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括水平方向邻接的阵列区域和连接区域，所述连接区域包括垂直交替的第一绝缘层和半导体层； 在所述连接区域用第二绝缘层替换部分所述半导体层； 形成穿过所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及剩余的所述半导体层的接触插塞，所述接触插塞以不同的延伸深度分别延伸至相应的所述第二绝缘层； 以剩余的所述半导体层为刻蚀停止层，移除所述第二绝缘层的一部分，在所述连接区域形成暴露所述阵列区域的水平字线的端部和所述接触插塞的横向空间； 在所述横向空间内形成分别电耦合所述水平字线和所述接触插塞的水平导线，所述水平导线还抵靠剩余的所述半导体层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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