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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种具有局域pn结的背接触TOPCon晶硅太阳电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121531833B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610049811.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种具有局域pn结的背接触TOPCon晶硅太阳电池及其制备方法是由苏晓东;代龙飞;邹帅;芦政设计研发完成，并于2026-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有局域pn结的背接触TOPCon晶硅太阳电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及太阳电池技术领域，具体涉及一种具有局域pn结的背接触TOPCon晶硅太阳电池及其制备方法。包括：S1、在n型硅衬底的背面形成TOPCon结构；S2、在n型硅衬底的正面和TOPCon结构的背面形成介质膜；S3、在背面的介质膜上印刷含铝金属的浆料并进行烧结处理，在n型硅衬底的局部区域形成p+区，以使n型硅衬底在对应区域发生局域反型，形成局域pn结，且在p+区与n型硅衬底之间形成耗尽层；S4、在背面分别形成正、负极栅线，以获得背接触TOPCon晶硅太阳电池。通过在背面局部区域形成局域p+区，实现局域反型与结形成，能够显著降低能耗及工艺复杂性，并降低硅表面缺陷态密度。

本发明授权一种具有局域pn结的背接触TOPCon晶硅太阳电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有局域pn结的背接触TOPCon晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、提供n型硅衬底，并在所述n型硅衬底的背面形成TOPCon结构； S2、在所述n型硅衬底的正面和所述TOPCon结构的背面形成介质膜； S3、在所述n型硅衬底的背面，于所述介质膜的预设区域印刷含铝金属的浆料并进行烧结处理，使所述含铝金属的浆料在烧结过程中选择性烧穿所述介质膜和所述TOPCon结构，并与所述n型硅衬底发生局域合金化反应，在所述n型硅衬底的局部区域形成掺杂浓度为1019cm-3-1022cm-3的p+区，以使所述n型硅衬底在对应区域发生局域反型，形成局域pn结，且在所述p+区与所述n型硅衬底之间形成耗尽层； S4、在所述n型硅衬底的背面，于所述局域pn结和与所述局域pn结间隔位置处分别形成正极栅线和负极栅线，从而获得背面接触TOPCon晶硅太阳电池； 其中，步骤S3中，所述含铝金属的浆料的印刷厚度为1μm-15μm中的任一值，印刷宽度为10-500μm中的任一值；在所述烧结处理过程中，烧结温度为700℃-950℃中的任一值，烧结后部分所述含铝金属的浆料和所述n型硅衬底反应形成p+区，其余所述含铝金属的浆料固化形成所述正极栅线的底层金属。

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