度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司杨国文获国家专利权
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龙图腾网获悉度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司申请的专利一种激光芯片封装结构、封装方法和激光器阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121484638B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610019139.3，技术领域涉及：H01S5/02208；该发明授权一种激光芯片封装结构、封装方法和激光器阵列是由杨国文;周斐雯;林丹;田为设计研发完成，并于2026-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种激光芯片封装结构、封装方法和激光器阵列在说明书摘要公布了：本申请涉及激光芯片封装技术领域，提供了一种激光芯片封装结构、封装方法和激光器阵列，激光芯片封装结构主要包括上盖板、带空腔的中间层和下盖板，共同形成基座结构；激光芯片固定于下盖板并容置于中间层的空腔内。基座内部设有用于填充电极材料的通孔，通过基座的表面金属化实现激光芯片的正极、负极与对应通孔的电连接，从而使激光芯片产生的热量能通过其上、下表面同时高效地传导至外界。本申请通过增加热传导的通道提高了激光器结温区的散热效果，并进一步提高了激光器的性能与使用寿命。
本发明授权一种激光芯片封装结构、封装方法和激光器阵列在权利要求书中公布了：1.一种激光芯片封装结构，其特征在于，所述激光芯片封装结构包括： 基座，包括沿垂直方向自上而下设置的上盖板、中间层与下盖板，所述中间层键合形成于所述上盖板的底面并位于所述上盖板与所述下盖板之间，所述上盖板、所述中间层和所述下盖板界定一空腔结构，所述中间层的内侧壁为斜面壁，所述中间层的斜面壁、所述下盖板的底面和所述上盖板的顶面界定出所述空腔结构，所述基座内部开设有通孔，所述通孔用于填充电极材料； 激光芯片，设置于所述空腔结构内部，所述激光芯片的正极和所述激光芯片的负极分别与所述通孔内的电极材料电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号东北区32幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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