同济大学郭璇获国家专利权
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龙图腾网获悉同济大学申请的专利基于残差双子空间投影的制备调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121331324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511888046.6，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权基于残差双子空间投影的制备调控方法是由郭璇;殷俊锋;张鑫龙;江宇睿设计研发完成，并于2025-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于残差双子空间投影的制备调控方法在说明书摘要公布了：本申请涉及陶瓷基复合材料制备技术领域，公开了基于残差双子空间投影的制备调控方法。该工艺先构建包含工艺参数子空间和性能残量子空间的时变工艺‑性能双子空间，再基于该双子空间构建残量求解模型，利用模型计算制备过程中各时序节点的性能残量；通过双子空间投影运算确定工艺参数调整方向，按该方向调整参数并制备材料，检测实际性能后重复残量计算、参数调整及制备步骤，直至性能残量满足预设条件，得到稳定制备材料的工艺参数组合。该工艺提升了陶瓷基复合材料制备的调控精准性与稳定性，为材料性能的稳定控制提供有效保障。
本发明授权基于残差双子空间投影的制备调控方法在权利要求书中公布了：1.基于残差双子空间投影的制备调控方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：构建时变工艺-性能双子空间，所述时变工艺-性能双子空间包括工艺参数子空间和性能残量子空间，所述工艺参数子空间由影响陶瓷基复合材料稳定性的关键工艺参数组成，所述性能残量子空间由陶瓷基复合材料实际性能与目标稳定性指标的偏差组成； S2：基于所述时变工艺-性能双子空间，构建残量求解模型，所述残量求解模型用于求解所述性能残量子空间中的性能残量； S3：利用所述残量求解模型，计算陶瓷基复合材料制备过程中各时序节点的性能残量； S4：基于所述性能残量，通过双子空间投影运算，确定所述工艺参数子空间中关键工艺参数的调整方向； S5：按照所述调整方向调整关键工艺参数，进行陶瓷基复合材料的制备，并检测制备所得陶瓷基复合材料的实际性能； S6：重复步骤S3至S5，直至所述性能残量满足预设条件，得到稳定制备陶瓷基复合材料的工艺参数组合，完成调控。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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