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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种抗单粒子辐射的LDMOS器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121262857B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511457979.X，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种抗单粒子辐射的LDMOS器件结构是由谢儒彬;周锌;刘晟淮;唐晓龙;彭洪;李燕妃;乔明;张波设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗单粒子辐射的LDMOS器件结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗单粒子辐射的LDMOS器件结构，属于半导体功率器件技术领域。该器件包括P型衬底、N型埋层、P型外延、N型深阱、P型深阱、STI浅槽隔离氧化层、栅氧化层、HTO氧化层、多晶硅、N型阱区、P型阱区、P型埋层、N型漂移区、P型体区、源区N+注入、漏区N+注入、体区P+注入、隔离N+注入、隔离P+注入。本发明将单漏区改变为双漏区，寄生三极管即为双集电极，起到分流的作用，能够降低漏端电场尖峰，抑制Kirk效应，从而提高器件的抗单粒子辐射能力。

本发明授权一种抗单粒子辐射的LDMOS器件结构在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子辐射的LDMOS器件结构，其特征在于，包括第一导电类型衬底1、第二导电类型埋层2、第一导电类型外延层3、第二导电类型深阱4、第一导电类型深阱5、第二导电类型阱区6、第一导电类型阱区7、第一导电类型埋层8、第二导电类型漂移区9、第一导电类型体区10、STI浅槽隔离氧化层11、第二导电类型隔离注入区12、第一导电类型隔离注入区13、第二导电类型双漏区14、第二导电类型源区15、第一导电类型体注入区16、HTO场氧化层区17、栅氧化层区18、多晶硅栅电极19； 第一导电类型衬底1位于底层，第二导电类型埋层2堆叠至第一导电类型衬底1上；第一导电类型外延层3位于第二导电类型埋层2的左上方；第一导电类型深阱5靠近第一导电类型外延层3的右边界，位于其右侧；第二导电类型深阱4靠近第一导电类型深阱5的右边界，位于其右侧；第二导电类型阱区6位于第二导电类型深阱4的上方，第一导电类型阱区7位于第一导电类型深阱5的上方；第一导电类型埋层8位于第一导电类型外延层3的内部偏右下位置，右侧与第一导电类型深阱5相邻；第二导电类型漂移区9位于第一导电类型埋层8上方；第一导电类型体区10位于第一导电类型外延层3内部左上方，右侧和第二导电类型漂移区9有间隔；第一个STI浅槽隔离氧化层11位于第二导电类型漂移区9内部右上方位置，不与其右边界相邻；第二个STI浅槽隔离氧化层11跨接于第一导电类型阱区7和第二导电类型漂移区9上方，覆盖部分第一导电类型阱区7和部分第二导电类型漂移区9；第三个STI浅槽隔离氧化层11跨接于第二导电类型阱区6和第一导电类型阱区7上方，覆盖部分第二导电类型阱区6和部分第一导电类型阱区7；第二导电类型隔离注入区12位于第二导电类型阱区6内部上方，与第三个STI浅槽隔离氧化层11右侧相邻；第一导电类型隔离注入区13位于第一导电类型阱区7上方，左右两侧分别与第二个STI浅槽隔离氧化层11右侧和第三个STI浅槽隔离氧化层11的左侧相邻；第一个第二导电类型漏区14紧邻于第一个STI浅槽隔离氧化层11左侧，第二个第二导电类型漏区14位于第二导电类型漂移区9的右上方，左右两侧分别与第一个STI浅槽隔离氧化层11右侧和第二个STI浅槽隔离氧化层11的左侧相邻；第一导电类型体注入区16位于第一导电类型体区10左上方，左侧边界与第一导电类型体区10的左侧边界相同；第二导电类型源区15紧邻于第一导电类型体注入区16的右侧；HTO场氧化层区17位于第二导电类型漂移区9上方；栅氧化层区18位于第二导电类型漂移区9的上方，右边界紧邻于HTO场氧化层区17左边界，高度低于HTO场氧化层区17；多晶硅栅电极19位于HTO场氧化层区17和栅氧化层区18的上方，左边界与栅氧化层区18的左边界相同，右边界不超过HTO场氧化层区17的右边界。

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