中南大学孙威获国家专利权
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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种TaC涂层及其制备方法、一种含TaC涂层的坩埚及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121021199B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511543574.8，技术领域涉及：C04B41/89；该发明授权一种TaC涂层及其制备方法、一种含TaC涂层的坩埚及应用是由孙威;曾玉林;熊翔;王子威;彭炳成设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种TaC涂层及其制备方法、一种含TaC涂层的坩埚及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种TaC涂层及其制备方法、一种含TaC涂层的坩埚及应用，属于半导体涂层材料制备领域。该方法是将第一含钽浆料涂覆在碳基体表面后，通过固相烧结反应，得到多孔预置涂层；再取所述多孔预置涂层与氧化钽粉末放置于密闭容器中，经过气相沉积使得氧化钽粉末气化，气态氧化钽渗入多孔预置涂层的多孔结构内部，与多孔结构内部所暴露的碳基体表面反应原位生成连续的碳化钽阻挡层；最后将第二含钽浆料涂覆于气相沉积后的多孔预置涂层表面，固化后置于烃类气氛中经过致密化烧结，即得。通过本发明得到的TaC涂层与界面的结合力强、厚度均匀，且组织形貌致密度高，晶界气孔少，适用于高纯半导体长晶行业的应用。
本发明授权一种TaC涂层及其制备方法、一种含TaC涂层的坩埚及应用在权利要求书中公布了：1.一种TaC涂层的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： S1将第一含钽浆料涂覆在碳基体表面后，通过固相烧结反应，得到多孔预置涂层；所述第一含钽浆料包括含钽粉末； 所述含钽粉末选自碳化钽粉末、氧化钽粉末中的至少一种； 所述多孔预置涂层的孔隙率为20~50%； S2取所述多孔预置涂层与氧化钽粉末放置于密闭容器中，经过气相沉积使得氧化钽粉末气化，气态氧化钽渗入多孔预置涂层的多孔结构内部，与多孔结构内部所暴露的碳基体表面反应原位生成连续的碳化钽阻挡层；所述碳化钽阻挡层的厚度为1~6μm； S3将第二含钽浆料涂覆于经过S2处理后的多孔预置涂层表面，固化后置于烃类气氛中经过致密化烧结，即得；所述第二含钽浆料包括氧化钽粉末。
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