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龙图腾网获悉亿曼丰科技(深圳)有限公司申请的专利低ESR薄膜电容器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120914028B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511437458.8，技术领域涉及：H01G4/33；该发明授权低ESR薄膜电容器的制备方法是由向荣;霍载吉设计研发完成，并于2025-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本低ESR薄膜电容器的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种低ESR薄膜电容器及制备方法，低ESR薄膜电容器包括壳体；芯子，设置于所述壳体内，所述芯子至少由金属化薄膜卷绕而成，所述金属化薄膜包括基膜和设置于所述基膜表面的第一金属层，所述第一金属层包括边缘区域和中心区域，所述边缘区域的厚度大于所述中心区域的厚度，所述基膜包括多个初级微结构和多个次级微结构，所述次级微结构的尺寸小于所述初级微结构，所述初级微结构包括凸起或凹槽，所述次级微结构包括凸起或凹槽；引出电极，所述引出电极的第一端与所述芯子连接。电流密度最高的边缘区域因其更厚的金属层而具有更低的欧姆电阻，从而显著降低了整个电容器的整体ESR，在降低ESR的同时，还能够具备一定的自愈能力。

本发明授权低ESR薄膜电容器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低ESR薄膜电容器的制备方法，用于制备低ESR薄膜电容器，其特征在于，所述低ESR薄膜电容器，包括： 壳体； 芯子，设置于所述壳体内，所述芯子至少由两张金属化薄膜卷绕而成，所述金属化薄膜包括基膜和设置于所述基膜表面的第一金属层，所述第一金属层包括边缘区域和中心区域，所述中心区域位于所述边缘区域的内部，所述边缘区域的厚度大于所述中心区域的厚度，所述基膜包括多个初级微结构和多个次级微结构，所述次级微结构的尺寸小于所述初级微结构，所述初级微结构包括凸起或凹槽，所述次级微结构包括凸起或凹槽，所述次级微结构设置于所述初级微结构上； 引出电极，所述引出电极的第一端与所述芯子连接，所述引出电极的第二端设置于所述壳体外； 所述方法包括： S10：对所述基膜进行预处理，以形成所述初级微结构和所述次级微结构，其中，所述基膜为经过离子体处理的聚丙烯膜，所述初级微结构由带有纹理的压辊形成，所述次级微结构采用压印或等离子体粗化形成； S20：在所述基膜上通过磁控溅射的方法分别在所述边缘区域和所述中心区域形成所述第一金属层，其中，所述边缘区域的溅射时间大于所述中心区域的溅射时间； S30：将至少两张所述金属化薄膜以交错层叠方式卷绕，形成所述芯子； S40：将所述引出电极的第一端与所述芯子连接，并将所述芯子和所述引出电极装入所述壳体内。

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