西安建筑科技大学张海涵获国家专利权
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龙图腾网获悉西安建筑科技大学申请的专利一种锗酸盐基长余辉发光材料及其制备方法、用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120272201B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410376391.0，技术领域涉及：C09K11/78；该发明授权一种锗酸盐基长余辉发光材料及其制备方法、用途是由张海涵;侯晓春;马奔;高当丽设计研发完成，并于2024-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锗酸盐基长余辉发光材料及其制备方法、用途在说明书摘要公布了：本发明属于无机发光材料技术领域，公开一种锗酸盐基长余辉发光材料及其制备方法、用途。该发光材料是以MReGeO4M＝Li或Na，Re＝Y，Lu或Gd为基质，引入掺杂离子Bi3+和Ln3+获得；且发光材料的化学式为M1‑xRe1‑yGeO4:xBi3+,yLn3+。其中，x为掺杂离子Bi3+占所述基质中碱金属离子Li+或Na+的摩尔掺杂浓度，且0＜x≤0.010；y为掺杂Ln3+离子Ln＝Eu、Tb、Pr或Yb中的一种占所述基质中Re3+的摩尔掺杂浓度，且0≤y≤0.001。本发明基于陷阱工程和带隙工程，实现了光致发光、余辉、光热激励荧光等多模荧光性质的调控，尤其实现了多色多模荧光印花动态信息存储与加密，为下一代荧光印花信息存储与防伪技术提供了材料基础和物理原型。
本发明授权一种锗酸盐基长余辉发光材料及其制备方法、用途在权利要求书中公布了：1.一种锗酸盐基长余辉发光材料，其特征在于，所述发光材料是以MReGeO4为基质，引入掺杂离子Bi和Ln3+获得，且所述发光材料的化学式为M1-xRe1-yGeO4:xBi3+,yLn3+； 其中，M为Li或Na，Re为Y、Lu或Gd，Ln为Eu、Tb或Yb中的一种；0＜x≤0.010,0＜y≤0.001； 所述发光材料是按照以下步骤制备得到： 按照所述发光材料的化学式M1-xRe1-yGeO4:xBi3+,yLn3+中的化学计量比，称取M源、Re源、Ge源、O源、Bi源以及Ln源，混合，在空气氛围下以升温速率2~4℃min升温至1000~1300℃，煅烧4~8h，得到所述发光材料。
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