聚镕光电(广州)新材料科技有限公司邵麟获国家专利权
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龙图腾网获悉聚镕光电(广州)新材料科技有限公司申请的专利一种在非导电基底上利用电化学制备高致密性电子传输型电极薄膜的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119852029B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411991964.7，技术领域涉及：H01B13/00；该发明授权一种在非导电基底上利用电化学制备高致密性电子传输型电极薄膜的制备方法及其应用是由邵麟;唐浩然;黄飞;刘春晨;阮镜棠设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在非导电基底上利用电化学制备高致密性电子传输型电极薄膜的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种在非导电基底上利用电化学制备高致密性电子传输型电极薄膜的制备方法，包括如下步骤：S1、将氧化剂、3,7‑二氢苯并[1,2‑b:4,5‑b']二呋喃‑2,6‑二酮和或聚3,7‑二氢苯并[1,2‑b:4,5‑b’]二呋喃‑2,6‑二酮设置于基底上，得到导电薄膜基底层；S2、将3,7‑二氢苯并[1,2‑b:4,5‑b']二呋喃‑2,6‑二酮、溶剂、酸酐混合，得到电解液；S3、将S1所述导电薄膜基底层加入电解液中，采用三电极体系进行电化学聚合，得到电化学聚合处理薄膜I；所述制备方法，还包括如下步骤：S4、采用三电极体系，对所述电化学聚合处理薄膜I进行还原掺杂处理，得到最终的导电薄膜II。电极薄膜致密性、稳定性良好，可以作为有机电子器件中的阴极，具有电导率高、加工制备简单、适用于柔性器件等优势。
本发明授权一种在非导电基底上利用电化学制备高致密性电子传输型电极薄膜的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种在非导电基底上利用电化学制备高致密性电子传输型电极薄膜的制备方法，其特征在于，所述在非导电基底上利用电化学制备高致密性电子传输型电极薄膜的制备方法，包括如下步骤： S1、将氧化剂、3,7-二氢苯并[1,2-b:4,5-b']二呋喃-2,6-二酮和或聚3,7-二氢苯并[1,2-b:4,5-b’]二呋喃-2,6-二酮设置于基底上，得到导电薄膜基底层； S2、将3,7-二氢苯并[1,2-b:4,5-b']二呋喃-2,6-二酮、溶剂、酸酐混合，得到电解液； S3、将S1所述导电薄膜基底层加入电解液中，采用三电极进行电化学聚合，得到电化学聚合处理薄膜I。
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