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深圳晶源信息技术有限公司何平获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳晶源信息技术有限公司申请的专利版图缺陷位置的确定方法、装置、设备、介质及程序产品获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119416733B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411436242.5,技术领域涉及:G06F30/398;该发明授权版图缺陷位置的确定方法、装置、设备、介质及程序产品是由何平;张鸿儒;丁明设计研发完成,并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

版图缺陷位置的确定方法、装置、设备、介质及程序产品在说明书摘要公布了:本申请公开了一种版图缺陷位置的确定方法、装置、设备、介质及程序产品,涉及半导体集成电路技术领域。该版图缺陷位置的确定方法包括:从掩膜设计版图的多个子版图中确定与图形库中目标图形的图形特征相匹配的候选版图;在候选版图中按照预设采样策略进行随机采样,得到多个第二随机采样坐标;将各第二随机采样坐标与目标图形中的各第一随机采样坐标进行匹配,得到候选版图与目标图形的图形相似度;在图形相似度大于预设相似度阈值的情况下,确定候选版图的位置为掩膜设计版图的版图缺陷位置,版图缺陷位置为掩膜设计版图中不符合工艺窗口要求的缺陷点所在的位置。

本发明授权版图缺陷位置的确定方法、装置、设备、介质及程序产品在权利要求书中公布了:1.一种版图缺陷位置的确定方法,其特征在于,包括: 从掩膜设计版图的多个子版图中确定与图形库中目标图形的图形特征相匹配的候选版图,所述图形库中包括至少一个模拟坏点图形,所述模拟坏点图形为对所述掩膜设计版图进行光刻模拟后确定的不符合工艺窗口要求的局部缺陷点图形,所述模拟坏点图形中包括按照预设采样策略进行随机采样得到的多个第一随机采样坐标,所述目标图形为各所述模拟坏点图形中的任意一个; 在所述候选版图中按照所述预设采样策略进行随机采样,得到多个第二随机采样坐标; 将各所述第二随机采样坐标与所述目标图形中的各所述第一随机采样坐标进行匹配,得到所述候选版图与所述目标图形的图形相似度; 在所述图形相似度大于预设相似度阈值的情况下,确定所述候选版图的位置为所述掩膜设计版图的版图缺陷位置,所述版图缺陷位置为所述掩膜设计版图中不符合工艺窗口要求的缺陷点所在的位置; 所述将各所述第二随机采样坐标与所述目标图形中的各所述第一随机采样坐标进行匹配,得到所述候选版图与所述目标图形的图形相似度,包括: 将各所述第二随机采样坐标与所述目标图形中的各所述第一随机采样坐标进行匹配,得到所述候选版图中与所述目标图形对应的匹配坐标的数量; 根据所述匹配坐标的数量,确定所述候选版图中所述匹配坐标占所述第二随机采样坐标的坐标数量占比; 将所述坐标数量占比确定为所述候选版图与所述目标图形的图形相似度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳晶源信息技术有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市福田区福保街道福保社区红棉街8号英达利科技数码园C栋401A;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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