中国科学院上海技术物理研究所王林获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利网格状天线集成的石墨烯太赫兹探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116454156B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310325905.5，技术领域涉及：H10F30/22；该发明授权网格状天线集成的石墨烯太赫兹探测器及制备方法是由王林;姜梦杰;张凯旋;姚晨禹;陈效双设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本网格状天线集成的石墨烯太赫兹探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种网格状天线集成的石墨烯太赫兹探测器及其制备方法。器件制备步骤主要将单层石墨烯转移到硅二氧化硅衬底上，然后通过标准的紫外光刻、电子束蒸发制备网格状天线，氧离子刻蚀工艺去除多余的石墨烯，最后利用引线键合工艺得到网格状天线集成的石墨烯太赫兹探测器。器件结构自下而上依次为：第一层是本征硅衬底、第二层是氧化物层、第三层是石墨烯和网格天线电极。通过网格天线与石墨烯构成太赫兹探测器，可以从微观原子层面上调节沟道内载流子分布，并借助独特的网格天线达到对太赫兹光场的高效聚焦，最终实现室温下高灵敏的太赫兹探测。本发明的优点是探测器的响应速度快、室温下自驱动工作、噪声等效功率小和可大规模集成。
本发明授权网格状天线集成的石墨烯太赫兹探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种网格状天线集成的石墨烯太赫兹探测器，其包括本征硅衬底1、氧化物层2、石墨烯3、网格天线金属电极4和网格天线金属电极5，其特征在于， 所述探测器的结构自下而上为：第一层是本征硅衬底1、第二层是氧化物层2、第三层是石墨烯3以及位于石墨烯左侧的金属电极4和位于石墨烯右侧的金属电极5； 所述的衬底1为本征高阻硅衬底，电阻率为10000-20000Ω·cm； 氧化物层2为二氧化硅，厚度为280-300nm； 所述的石墨烯3为化学气相沉积生长的石墨烯，厚度约为0.335-0.8nm； 所述石墨烯左侧的金属电极4和石墨烯右侧的金属电极5为金属复合电极，下层金属为铬，上层金属为金，厚度为80-110nm。
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