TCL科技集团股份有限公司张天朔获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利一种发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116437689B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111640141.6，技术领域涉及：H10K50/16；该发明授权一种发光二极管及其制备方法是由张天朔设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种发光二极管及其制备方法，涉及光电技术领域。该发光二极管包括：阳极、阴极、设置在阳极与阴极之间的发光层；复合电子传输层，复合电子传输层设置在阴极与发光层之间，复合电子传输层的材料包括第一材料和第二材料；其中，第一材料为第一电子传输材料；第二材料为金属盐，金属盐中的金属元素选自VIII族元素；以及金属层，金属层设置在阴极与复合电子传输层之间，金属层的材料为掺杂或未掺杂的金属单质，金属单质中的金属元素选自VIII族元素。该发光二极管的复合电子传输层具有良好的透射率，且该发光二极管具有较高的亮度与效率。
本发明授权一种发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括： 阳极、阴极、设置在阳极与阴极之间的发光层； 复合电子传输层，所述复合电子传输层设置在所述阴极与所述发光层之间，所述复合电子传输层的材料包括第一材料和第二材料；其中，所述第一材料为第一电子传输材料；所述第二材料为金属盐，所述金属盐中的金属元素选自VIII族元素；所述金属盐选自于氯化钴、醋酸铁、醋酸钴、硬脂酸铁、硝酸铁、硝酸钴中的一种或多种；所述复合电子传输层中，所述第一材料和所述第二材料各自独立成膜并且层叠设置；以及 金属层，所述金属层设置在所述阴极与所述复合电子传输层之间，其中，所述第二材料的膜层靠近所述金属层设置，所述金属层的材料为掺杂或未掺杂的金属单质，所述金属单质中的金属元素选自VIII族元素。
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