华南理工大学李国强获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种可见光探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116435376B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310227356.8，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种可见光探测器及其制备方法是由李国强;陈亮;王文樑;柴吉星设计研发完成，并于2023-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可见光探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可见光探测器及其制备方法；该可见光探测器结构包括：生长在硅衬底上的InGaN纳米棒、位于硅衬底上的第一金属电极、包覆InGaN纳米棒表面的金纳米颗粒和PEDOT:PSS的混合溶液、位于具有金纳米颗粒和PEDOT:PSS混合溶液包覆的InGaN纳米棒上的第二金属电极。PEDOT:PSS的引入可有效钝化InGaN纳米棒的表面态，降低暗电流；金纳米颗粒的引入可诱导表面等离激元效应，提升光响应电流；相比于无金纳米颗粒和PEDOT:PSS的混合溶液修饰的探测器，该探测器表现出较高的光电流和较低的暗电流；该发明具有成本低、性能优异和制备简单等优点，该发明提供的可见光探测器及其制备方法可应用于可见光通信领域中。
本发明授权一种可见光探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可见光探测器，其特征在于，所述可见光探测器结构包括： 单晶硅衬底； 位于所述单晶硅衬底上表面的InGaN纳米棒和第一金属电极； 位于所述InGaN纳米棒表面的金纳米颗粒与PEDOT:PSS混合溶液； 位于具有金纳米颗粒与PEDOT:PSS混合溶液包覆的InGaN纳米棒上的第二金属电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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