浙江驰拓科技有限公司于志猛获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利MRAM存储器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116435250B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111683205.0，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权MRAM存储器的制备方法是由于志猛;何世坤设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本MRAM存储器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MRAM存储器的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括阵列区和逻辑区；在衬底表面沉积介质，形成阵列区的第一介质层以及逻辑区介质层，之后阵列区形成磁性隧道结底电极、磁性隧道结材料层和介质硬掩膜层，并暴露逻辑区介质层；在阵列区介质硬掩膜层上形成第二介质层，并补充逻辑区介质层；进行光刻和刻蚀，在阵列区形成用于暴露磁性隧道结材料层的第一穿孔，以及，在逻辑区形成用于暴露底部金属线的第二穿孔；在第一穿孔和第二穿孔中填充金属，并进行平坦化处理，形成阵列区的金属硬掩膜层和逻辑区金属通孔；基于金属硬掩膜层对磁性隧道结材料层进行刻蚀，在阵列区形成磁性隧道结。
本发明授权MRAM存储器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MRAM存储器的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底包括阵列区和逻辑区； 在衬底表面沉积介质，形成阵列区的第一介质层以及逻辑区介质层，之后阵列区形成磁性隧道结底电极、磁性隧道结材料层和介质硬掩膜层，并暴露所述逻辑区介质层； 在所述阵列区介质硬掩膜层上形成第二介质层，并补充所述逻辑区介质层； 进行光刻和刻蚀，在阵列区形成用于暴露磁性隧道结材料层的第一穿孔，以及，在逻辑区形成用于暴露底部金属线的第二穿孔； 在所述第一穿孔和所述第二穿孔中填充金属，并进行平坦化处理，形成阵列区的金属硬掩膜层和逻辑区金属通孔； 基于所述金属硬掩膜层对所述磁性隧道结材料层进行刻蚀，在阵列区形成磁性隧道结。
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