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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153977B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310230088.5，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种晶体管及其制备方法是由段新绿;卢年端;王桂磊;赵超;李泠设计研发完成，并于2023-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，以解决晶体管沟道长度的准确性受刻蚀精度影响，稳定性差，难以适应半导体器件小型化需求的问题。晶体管包括：衬底层；第一电极，设置于衬底层的一侧；第二电极，设置于第一电极远离衬底层的一侧；有源层，有源层设置于第一电极和第二电极之间，有源层包括第一结构部、第二结构部和第三结构部，第一结构部与第一电极电连接，第三结构部与第二电极电连接，第二结构部连接于第一结构部和第三结构部之间，第一结构部、第二结构部和第三结构部形成第一凹槽结构，第一凹槽结构的开口朝向与第一电极厚度方向垂直的方向；第一栅极，设置于第一凹槽结构内，且第一栅极与有源层绝缘。

本发明授权一种晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，包括： 衬底层； 第一电极，设置于所述衬底层的一侧； 第二电极，设置于所述第一电极远离所述衬底层的一侧； 有源层，所述有源层设置于所述第一电极和所述第二电极之间，所述有源层包括第一结构部、第二结构部和第三结构部，所述第一结构部与所述第一电极电连接，所述第三结构部与所述第二电极电连接，所述第二结构部连接于所述第一结构部和所述第三结构部之间，所述第一结构部、所述第二结构部和所述第三结构部形成第一凹槽结构，所述第一凹槽结构的开口朝向与所述第一电极厚度方向垂直的方向； 第一栅极，设置于所述第一凹槽结构内，且所述第一栅极与所述有源层绝缘； 其中，所述第一结构部位于所述第一电极与所述第一栅极之间，所述第三结构部位于所述第二电极与所述第一栅极之间； 第二凹槽结构，所述第二凹槽结构贯穿所述第二电极，且所述第二凹槽结构靠近所述衬底层的一端抵接于所述第一电极远离所述衬底层的一侧，所述第二凹槽结构的侧壁连接所述第二结构部； 所述第二凹槽结构内设置有第二栅极，所述第二栅极与所述第一栅极共同形成一个双栅晶体管，所述第二栅极与所述有源层绝缘，所述第二栅极与所述第一电极绝缘； 所述第二凹槽结构设置于两个晶体管之间，以连接所述两个晶体管，其中，在同一个衬底层设置至少两个晶体管的情况下，至少两个晶体管共用一个第一电极和第二栅极。

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