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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种存储器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116134989B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080104784.6，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种存储器及电子设备是由秦青;周雪;刘熹设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储器及电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种存储器及电子设备，涉及存储器技术领域，可以解决MTJ中自由层翻转需要的电流大的问题。该存储器包括设置于所述存储器的存储区域内阵列分布的多个存储单元以及位线，所述存储单元包括晶体管以及与所述晶体管连接的磁隧道结MTJ元件；所述MTJ元件设置于所述晶体管的源极或者漏极与所述位线之间的电流传输路径上；所述MTJ元件包括依次层叠设置的钉扎层、参考层、隧穿层和自由层；所述钉扎层的磁化方向平行于所述MTJ中各层的堆叠方向；所述存储器还包括设置于所述电流传输路径上，且与所述MTJ元件接触的第一磁性结构；其中，所述第一磁性结构的磁化方向与所述钉扎层的磁化方向的夹角为90°，180°]。

本发明授权一种存储器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括设置于所述存储器的存储区域内阵列分布的多个存储单元以及位线，所述存储单元包括晶体管以及与所述晶体管连接的磁隧道结MTJ元件； 所述MTJ元件设置于所述晶体管的源极或者漏极与所述位线之间的电流传输路径上；所述MTJ元件包括依次层叠设置的钉扎层、参考层、隧穿层和自由层；所述钉扎层的磁化方向平行于所述MTJ中各层的堆叠方向； 所述存储器还包括设置于所述电流传输路径上，且与所述MTJ元件接触的第一磁性结构；所述第一磁性结构的磁化方向与所述钉扎层的磁化方向的夹角为90°，180°]； 所述存储器还包括设置于所述电流传输路径上的第二磁性结构；所述第二磁性结构在所述自由层产生的磁场的方向与所述自由层的磁化方向不平行； 所述存储器还包括设置于所述第二磁性结构和所述MTJ元件之间的连接层，所述第二磁性结构通过所述连接层与所述MTJ元件电连接； 其中，所述MTJ元件在所述连接层上的投影和所述第二磁性结构在所述连接层上的投影至少部分区域不重叠。

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