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龙图腾网获悉广东天域半导体股份有限公司申请的专利矫正碳化硅外延片翘曲度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130341B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211693602.0，技术领域涉及：H10P52/00；该发明授权矫正碳化硅外延片翘曲度的方法是由卓俊辉;陈俊豪;李锡光设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本矫正碳化硅外延片翘曲度的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种矫正碳化硅外延片翘曲度的方法，首先将所述外延片的保护膜一面贴合在减薄机的多孔陶瓷吸附台上，真空吸附所述外延片，利用8000～30000目的金刚石砂轮对所述外延片的碳面进行减薄处理；然后，将减薄后的所述外延片贴附于化学机械抛光设备上，根据减薄后的所述外延片的翘曲度大小，利用0.1～1μm的多晶金刚石粉研磨液，在100g～300gcm2的加压下对所述外延片的碳面抛光5～60min；再对抛光后的所述外延片进行两面冲刷。本发明的方法在矫正碳化硅外延片翘曲度的前提下，对外延片的减薄量较少，不影响外延片的性质。

本发明授权矫正碳化硅外延片翘曲度的方法在权利要求书中公布了：1.一种矫正碳化硅外延片翘曲度的方法，其特征在于，包括如下步骤： 1提供翘曲度不合格的外延片，在所述外延片的硅面粘贴保护膜，且所述保护膜的边缘与所述外延片的边缘齐平； 2将所述外延片的保护膜一面贴合在减薄机的多孔陶瓷吸附台上，真空吸附所述外延片，利用8000~30000目的金刚石砂轮对所述外延片的碳面进行减薄处理，所述金刚石砂轮高速旋转以对所述外延片的碳面进行快速切削以减薄2~5μm； 3将减薄后的所述外延片贴附于化学机械抛光设备上，根据减薄后的所述外延片的翘曲度大小，利用0.1~1μm的多晶金刚石粉研磨液，在100g~300gcm2的加压下对所述外延片的碳面抛光5~60min； 4将抛光后的所述外延片放置于全自动双面刷洗机，利用尼龙毛刷以及二流体对所述外延片的两面反复冲刷，冲刷完成后对所述外延片进行甩干； 5利用指定的保护膜能量照射所述外延片，然后将所述外延片的保护膜揭掉； 其中，所述步骤3包括： 31将吸附垫贴附于所述化学机械抛光设备的陶瓷盘上，再将所述外延片的碳面朝外贴附在所述吸附垫上； 32将0.1~1μm的多晶金刚石粉研磨液按照20~100mlmin的速率滴加在所述化学机械抛光设备的抛光垫上； 33所述化学机械抛光设备的气缸加压100g~300gcm2并对所述外延片的碳面抛光5~60min。

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