东京毅力科创株式会社赤坂泰志获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利半导体器件的电极部及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116097402B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180057563.2，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体器件的电极部及其制造方法是由赤坂泰志设计研发完成，并于2021-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的电极部及其制造方法在说明书摘要公布了：半导体器件的电极部的制造方法包括准备具有杂质添加区域的半导体基片的步骤。该制造方法还包括在杂质添加区域上形成第一金属层的步骤。该制造方法还包括在第一金属层上形成第二金属层的步骤。该制造方法还包括对包括第一金属层和第二金属层的半导体基片进行加热的步骤。杂质添加区域含有硅。第一金属层含有钽。第二金属层含有钛。通过进行加热的步骤，在杂质添加区域上形成含有钛、钽和硅的第一硅化物层，在第一硅化物层上形成含有钛和硅的第二硅化物层。
本发明授权半导体器件的电极部及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的电极部的制造方法，其特征在于，包括： 准备具有杂质添加区域的半导体基片的步骤； 在所述杂质添加区域上形成第一金属层的步骤； 在所述第一金属层上形成第二金属层的步骤；以及 对包括所述第一金属层和所述第二金属层的所述半导体基片进行加热的步骤， 所述杂质添加区域含有硅， 所述第一金属层含有钽， 所述第二金属层含有钛， 通过所述进行加热的步骤， 在所述杂质添加区域上形成含有钛、钽和硅的第一硅化物层，在所述第一硅化物层上形成含有钛和硅的第二硅化物层， 所述第一硅化物层与所述杂质添加区域之间的界面处的杂质浓度为1×1020cm-3以上， 所述杂质添加区域中的杂质是硼。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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