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龙图腾网获悉江苏芯港半导体有限公司申请的专利一种绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116092936B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310074650.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制备方法是由白俊春;程斌;汪福进;平加峰;贾永设计研发完成，并于2023-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1、外延材料生长；2、垂直结构实现；3、漏电极制作；4、源电极制作；5、欧姆金属退火；6、介质层沉积；7、栅电极制作；8、完成互联引线的制作。其能够解决目前常规GaN基高电子迁移率晶体管器件阈值电压小于0且耐压能力差的问题。

本发明授权一种绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘栅高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1、在自支撑N+-GaN衬底1上生长厚度为3μm-30μm的C掺杂GaN层2； 2、在所述C掺杂GaN层2上生长厚度为1μm-3μm的N--GaN渡越层3； 3、通过干法等离子体刻蚀，去除掉部分所述N--GaN渡越层3及位于其下方的所述C掺杂GaN层2，以形成两个台阶a并在所述两个台阶a之间形成凹槽b； 4、通过干法等离子体刻蚀，对所述两个台阶a进行刻蚀，去除掉所述台阶a的部分所述N--GaN渡越层3及位于其下方的部分所述C掺杂GaN层2，以形成阶梯台阶c； 5、整体生长一层厚度为200nm-500nm的GaN沟道层4； 6、在所述GaN沟道层4上生长一层Al组分为15-35%、厚度为10nm-30nm的AlGaN势垒层5，以形成AlGaNGaN结构； 7、在所述自支撑N+-GaN衬底1的背面沉积漏电极6； 8、除去最顶部的所述AlGaNGaN结构，以露出所述N--GaN渡越层3，从而形成源极窗口； 9、通过干法等离子体刻蚀，对暴露的所述N--GaN渡越层3的顶部进行刻蚀，以形成源极凹槽e； 10、在所述源极窗口和源极凹槽e上沉积源电极7； 11、整体沉积一层介质层8； 12、在位于所述阶梯台阶c上方的所述介质层8上沉积栅电极9； 13、制作互联引线。

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