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龙图腾网获悉爱必克股份有限公司申请的专利气相生长装置以及外延晶片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115868008B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180046671.X，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权气相生长装置以及外延晶片的制造方法是由冈部晃设计研发完成，并于2021-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本气相生长装置以及外延晶片的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种气相生长装置，即使采用基座以及预热环与反应容器的顶板下表面之间的空间狭小化的结构，也能够充分确保向基座装卸基板时基板搬送构件的移动空间。在反应室中设置使基座在第一位置与第二位置之间升降的基座升降机构。在基座位于第一位置的状态下，基座的上表面位于比预热环的下表面靠上方的位置，并且，在与反应容器主体的顶板下表面之间，确保具有预先决定的高度方向尺寸的原料气体流通空间。在基座位于第二位置的状态下，基座的上表面位于比预热环的下表面靠下方的位置，并且，在基座的上表面与预热环的下表面之间，确保高度方向尺寸比原料气体流通空间大的基板装卸空间。

本发明授权气相生长装置以及外延晶片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种气相生长装置，使半导体单晶薄膜在单晶基板的主表面气相生长，其特征在于， 具有在水平方向上的第一端部侧形成有气体导入口并同样地在第二端部侧形成有气体排出口的反应容器主体，在该反应容器主体的内部空间中被驱动而旋转的圆盘状的基座上水平地保持有所述单晶基板且所述单晶基板进行旋转，从所述气体导入口被导入所述反应容器主体内的用于形成半导体单晶薄膜的原料气体在沿着所述单晶基板的所述主表面流动后，从所述气体排出口排出，并且以包围所述基座的方式配置有预热环， 还具备： 基座升降机构，使所述基座在第一位置与第二位置之间升降，其中，所述第一位置形成为，所述基座的上表面位于比所述预热环的下表面靠上方的位置，并且，在所述基座的上表面与所述反应容器主体的顶板下表面之间形成具有预先决定的高度方向尺寸的原料气体流通空间，所述第二位置形成为，所述基座的上表面位于比所述预热环的下表面靠下方的位置，并且，在所述基座的上表面与所述预热环的下表面之间，形成高度方向尺寸比所述原料气体流通空间大的基板装卸空间； 基板搬送构件，在前端侧设置有以在水平方向上保持所述单晶基板的方式装卸所述单晶基板的基板保持部；以及 基板搬送构件驱动部，相对于位于所述第二位置的状态下的所述基座，在基板装卸位置与准备位置之间使所述基板搬送构件在水平方向上往复移动，其中，所述基板装卸位置是所述基板保持部位于所述基座的正上方的位置，所述准备位置是所述基板保持部位于形成于所述反应容器主体外的准备室内的位置， 所述基板搬送构件驱动部是搬运机器人，所述搬运机器人具备构成连杆机构的多个机械臂，所述多个机械臂以能够绕各自的旋转轴线旋转的方式相互结合，由马达驱动一端的机械臂转动，从而构成所述基板搬送构件的所述反应容器主体侧的末端的机械臂被驱动而沿水平方向进退。

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