中国科学院微电子研究所李俊杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863172B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211576204.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体结构的制备方法及半导体结构是由李俊杰;刘恩序;周娜;高建峰;李俊峰;罗军;王文武设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法中，在源极沟槽和漏极沟槽内外延生长源极晶体结构和漏极晶体结构的过程中，在不同取向的晶面相交前即停止外延生长，之后采用各向同性的金属材料填充不同取向的晶面之间的缝隙，并在源极沟槽和漏极沟槽中分别形成全环绕栅极晶体管的源极和漏极。相比现有技术，通过外延薄层与填充金属相结合形成源漏极，不仅减少已有的全外延半导体材料源漏材料，而且还能够避免出现不同取向的晶面相交出现的层错等缺陷，降低源漏极内部的寄生电阻，提高器件的驱动能力，降低器件功耗。
本发明授权一种半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上形成有源区沟槽，所述有源区沟槽内形成有全环绕栅极晶体管的沟道叠层结构、形成在所述沟道叠层结构之间的牺牲层结构、形成在所述沟道叠层结构上的假栅结构、以及形成在所述牺牲层结构和假栅结构的侧壁上的侧墙；其中，所述沟道叠层结构将所述有源区沟槽分隔为源极沟槽和漏极沟槽； 分别在所述源极沟槽和漏极沟槽内外延生长源极晶体结构和漏极晶体结构，且在所述源极晶体结构和漏极晶体结构生长过程中的不同取向的晶面相交前，停止所述外延生长；所述源极晶体结构和漏极晶体结构的材料为硅或硅锗材料； 采用各向同性金属材料填充所述源极晶体结构和漏极晶体结构中不同取向的晶面之间的缝隙，并在所述源极沟槽和漏极沟槽中分别形成所述全环绕栅极晶体管的源极和漏极。
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