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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种干扰抑制修正电路及数字隔离电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115842543B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211406694.X，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权一种干扰抑制修正电路及数字隔离电路是由吴勇;吴佳;张艺蒙;徐嘉雯;何滇设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种干扰抑制修正电路及数字隔离电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种干扰抑制修正电路及数字隔离电路，其中，干扰抑制修正电路设置于数字隔离电路的接收端，其包括：钳位电路，与隔离器的输出端相连接；钳位电路包括一对NMOS管和一对PMOS管，钳位电路具有当隔离器的输出信号中包括高于共模电平的瞬态脉冲时，一对NMOS管关闭而一对PMOS管开启的第一状态，以及当隔离器的输出信号中包括低于共模电平的瞬态脉冲时，一对NMOS管开启而一对PMOS管关闭的第二状态，以及隔离器的输出信号即为共模电平时，一对NMOS管和一对PMOS管均关闭的第三状态；信号检测电路，与钳位电路相连接；信号修正电路，输入端与信号检测电路和解调电路相连接；解调电路的输入端与钳位电路相连接。本发明中的电路，能够有效抑制共模瞬态干扰。

本发明授权一种干扰抑制修正电路及数字隔离电路在权利要求书中公布了：1.一种干扰抑制修正电路，其特征在于，设置于数字隔离电路的接收端，包括： 钳位电路，与隔离器的输出端相连接；所述钳位电路包括一对NMOS管和一对PMOS管，所述钳位电路具有当所述隔离器的输出信号中包括高于共模电平的瞬态脉冲时，所述一对NMOS管关闭而所述一对PMOS管开启，以降低所述瞬态脉冲的第一状态，以及当所述隔离器的输出信号中包括低于共模电平的瞬态脉冲时，所述一对NMOS管开启而一对PMOS管关闭，以提高所述瞬态脉冲的第二状态，以及所述隔离器的输出信号即为所述共模电平时，所述一对NMOS管和所述一对PMOS管均关闭的第三状态； 信号检测电路，与所述钳位电路相连接，用以在所述钳位电路处于所述第一状态和所述第二状态时输出第一电平，在所述钳位电路处于所述第三状态时输出第二电平； 信号修正电路，输入端与所述信号检测电路和解调电路相连接，以基于所述信号检测电路的输出电平对所述解调电路解调后的信号进行修正；所述解调电路的输入端与所述钳位电路相连接； 所述信号检测电路包括： 与所述一对NMOS管相连接的第一电流镜组，用以采集并输出所述一对NMOS管处的电流； 与所述一对PMOS管相连接的第二电流镜组，用以采集并输出所述一对PMOS管处的电流； 分别与所述第一电流镜组和所述第二电流镜组相连接的第一反相器和第一缓冲级，以及两个输入端分别连接至所述第一反相器和所述第一缓冲级的输出端的或门；所述第一缓冲级的延时与所述第一反相器的延时相同； 所述一对NMOS管包括NMOS管M1和NMOS管M3，所述一对PMOS管包括PMOS管M2和PMOS管M4； 所述NMOS管M1和所述PMOS管M2的栅极均连接至参考电压，且所述NMOS管M1的漏极连接至驱动电源的高电平输出端，源极连接至所述PMOS管M2的源极并接入正相输入端、接出正相输出端，所述PMOS管M2的的漏极接地； 所述NMOS管M3和所述PMOS管M4的栅极也均连接至所述参考电压，且所述NMOS管M3的漏极连接至驱动电源的高电平输出端，源极连接至所述PMOS管M4的源极并接入反相输入端、接出反相输出端，所述PMOS管M4的漏极接地。

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