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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种信号解调电路及数字隔离电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115833755B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211626774.6，技术领域涉及：H03D3/00；该发明授权一种信号解调电路及数字隔离电路是由吴勇;徐嘉雯;吴佳设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种信号解调电路及数字隔离电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种信号解调电路及数字隔离电路，其中的信号解调电路，设置于数字隔离电路的接收端，包括：共栅放大模块，用以接收数字隔离电路中的隔离模块所输出的全差分信号，并对全差分信号进行放大；解调模块，与共栅放大模块相连接，用于对放大后的全差分信号进行解调并输出；共栅放大模块包括第一有源负载、第二有源负载、第一NMOS管、第二NMOS管、第一耦合电容、第二耦合电容、第一采样电阻和第二采样电阻。本发明中的电路，具有较高的抗干扰能力。

本发明授权一种信号解调电路及数字隔离电路在权利要求书中公布了：1.一种信号解调电路，其特征在于，设置于数字隔离电路的接收端，包括： 共栅放大模块，用以接收所述数字隔离电路中的隔离模块所输出的全差分信号，并对所述全差分信号进行放大； 解调模块，与所述共栅放大模块相连接，用于对放大后的所述全差分信号进行解调并输出； 所述共栅放大模块包括第一有源负载、第二有源负载、第一NMOS管、第二NMOS管、第一耦合电容、第二耦合电容、第一采样电阻和第二采样电阻；所述第一NMOS管的源极连接所述第一采样电阻后接地，所述第二NMOS管的源极连接所述第二采样电阻后接地；所述第一NMOS管的栅极与所述第二耦合电容的阴极相连接，所述第二耦合电容的阳极连接于所述第二NMOS管的源极和所述第二采样电阻之间，并接入所述全差分信号中的反相输入信号；所述第二NMOS管的栅极与所述第一耦合电容的阴极相连接，所述第一耦合电容的阳极连接于所述第一NMOS管的源极和所述第一采样电阻之间，并接入所述全差分信号中的正相输入信号；所述第一NMOS管的漏极与所述第一有源负载相连接并接出反相输出信号，所述第二NMOS管的漏极与所述第二有源负载相连接并接出正相输出信号； 所述第一有源负载和所述第二有源负载均包括负载PMOS管和负载NMOS管，所述负载PMOS管的源极和所述负载NMOS管的漏极均与驱动电源的高电平输出端相连接；所述负载PMOS管的栅极与所述负载NMOS管的源极相连接，并连接至一偏置电流源，所述负载PMOS管的漏极与所述负载NMOS管的栅极相连接；所述负载PMOS管的漏极为连接端。

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