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龙图腾网获悉电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院申请的专利一种采用全环绕电荷补偿的SOI-LDMOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832050B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211436755.7，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种采用全环绕电荷补偿的SOI-LDMOS器件是由程骏骥;钟涛;郭新凯;杨洪强设计研发完成，并于2022-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用全环绕电荷补偿的SOI-LDMOS器件在说明书摘要公布了：本发明属于功率LDMOS器件领域，提供一种采用全环绕电荷补偿的SOI‑LDMOS器件，用以改善器件击穿电压和比导通电阻之间的矛盾关系，提升SOI‑LDMOS的Baliga优值，同时提高器件的抗电荷偏离能力，提升鲁棒性。本发明中HK层和鳍状P型变掺杂区对鳍状N型漂移区构成全环绕的电荷补偿；P型变掺杂区与N型漂移区彼此耗尽，在纵向上形成变化的电场分布，降低器件表面电场强度，构成双重RESURF，且提高器件耐压特性；同时，HK层对N型漂移区构成三面的电荷补偿，使N型漂移区表面得到增强RESURF效应，从而改善器件表面电场分布，进一步优化器件击穿电压和比导通电阻之间的关系；另外，HK材料还赋予了器件抵抗电荷偏离的能力，提高了器件的鲁棒性。

本发明授权一种采用全环绕电荷补偿的SOI-LDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种采用全环绕电荷补偿的SOI-LDMOS器件，包括：硅衬底01、埋氧层02、鳍状P型阱区03、鳍状P型变掺杂区04、鳍状N型漂移区05、HK层06、漏极N+区07、源极N+区08、源极P+区09、栅氧化层10、源极11、栅极12及漏极13；其特征在于， 所述埋氧层02设置于硅衬底01的上方；所述鳍状P型阱区03与鳍状P型变掺杂区04设置于埋氧层02上方，所述鳍状N型漂移区05设置于鳍状P型变掺杂区04上方、且二者均与鳍状P型阱区03相邻接； 所述源极N+区08与源极P+区09邻接设置于鳍状P型阱区03中，源极N+区08与源极P+区09的外表面设置源极11；所述漏极N+区07设置于鳍状N型漂移区05中，漏极N+区07的外表面设置漏极13；所述栅氧化层10设置于鳍状P型阱区03的外表面，栅氧化层10的外表面设置栅极12；所述HK层06设置于鳍状P型变掺杂区04与鳍状N型漂移区05的外表面，且位于栅极与漏极之间； 所述HK层06对鳍状N型漂移区05构成三面的电荷补偿，所述鳍状P型变掺杂区04对鳍状N型漂移区05构成底面的电荷补偿，且沿源端去往漏端的方向，鳍状P型变掺杂区04的掺杂剂量呈线性或者阶梯状递减。

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