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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司申请的专利一种电池片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831789B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211430229.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种电池片的制备方法是由陈超;周静;曾庆云;邱彦凯设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电池片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电池片的制备方法，包括以下步骤：步骤S100：提供制绒后的N型硅片，对硅片的前表面进行掺杂处理以形成正面掺杂层；步骤S101：碱抛后硅片背表面与空气中氧气反应生成第一氧化层；步骤S102：测试第一氧化层厚度TH1；步骤S103：于第一氧化层表面沉积隧穿氧化层；步骤S104：测试隧穿氧化层以及第一氧化层的总厚度TH2；步骤S105：计算隧穿氧化层厚度TH3＝TH2‑TH1；步骤S106：在步骤S105中，如果隧穿氧化层厚度TH3小于1.2nm或大于2.0nm,则调整工艺后重新执行步骤S100‑S105。与现有技术相比，本发明通过在沉积隧穿氧化层前新增测厚步骤，使得对隧穿氧化层厚度的测试结果更加准确，为后续的电池片的生产创造了有利条件。

本发明授权一种电池片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电池片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S100：提供制绒后的N型硅片，对所述硅片的前表面进行掺杂处理以形成正面掺杂层； 步骤S101：在硅片背表面进行抛光面的制作，碱抛后所述硅片背表面与空气中氧气反应生成第一氧化层； 步骤S102：测试所述第一氧化层厚度TH1; 步骤S103：于所述第一氧化层表面沉积隧穿氧化层； 步骤S104：测试所述隧穿氧化层以及所述第一氧化层的总厚度TH2； 步骤S105：计算所述隧穿氧化层厚度TH3=TH2-TH1； 步骤S106：在所述步骤S105中，如果隧穿氧化层厚度TH3小于1.2nm或大于2.0nm,则调整工艺后重新执行步骤S100-S105,直到隧穿氧化层厚度TH3为1.2-2.0nm； 步骤S107：在所述硅片的前表面和背表面分别沉积钝化膜层； 步骤S108：在所述硅片的前表面和背表面分别制备金属电极。

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