中国科学院微电子研究所侯煜获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利半导体陷光结构制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498067B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211154765.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权半导体陷光结构制备方法是由侯煜;文志东;岳嵩;王然;张喆;张昆鹏;李曼;石海燕;薛美;李朋;张紫辰设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体陷光结构制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体陷光结构制备方法，包括：采用两束激光在待处理材料上形成第一干涉光场，所述第一干涉光场的条纹沿第一方向分布，以使所述待处理材料表面形成沿第一方向分布的凹陷结构；采用两束激光在待处理材料上形成第二干涉光场，所述第二干涉光场的条纹沿第二方向分布，以使所述待处理材料表面形成沿第二方向分布的凹陷结构，所述第一凹陷结构和所述第二凹陷结构交叉使待处理材料表面形成阵列分布的锥形结构；采用高斯光斑对所述待处理材料表面的锥形结构进行激光诱导，以使所述锥形结构表面形成纳米级结构。本发明提供的半导体陷光结构制备方法，能够高效率的完成大规模陷光结构的制备。
本发明授权半导体陷光结构制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体陷光结构制备方法，其特征在于，包括： 采用两束激光在待处理材料上形成第一干涉光场，所述第一干涉光场的条纹沿第一方向分布，以使所述待处理材料表面形成沿第一方向分布的凹陷结构； 采用两束激光在待处理材料上形成第二干涉光场，所述第二干涉光场的条纹沿第二方向分布，以使所述待处理材料表面形成沿第二方向分布的凹陷结构，所述沿第一方向分布的凹陷结构和所述沿第二方向分布的凹陷结构交叉使待处理材料表面形成阵列分布的锥形结构； 采用高斯光斑对所述待处理材料表面的锥形结构进行激光诱导，以使所述锥形结构表面形成纳米级结构； 其中，所述两束激光在所述待处理材料的表面入射角为0.5-30°； 在采用高斯光斑对所述待处理材料表面的锥形结构进行激光诱导时，相邻两条加工路径之间的间隔为高斯光斑直径的40%-80%。
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