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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利MOS器件的测试系统及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332228B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211013531.5，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权MOS器件的测试系统及测试方法是由季祥海;曹成伟;刘林林;郭奥设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOS器件的测试系统及测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MOS器件的测试系统及测试方法。该测试系统中，多栅测试结构包括第一注入阱和位于第一注入阱上方的多个主栅极，每个主栅极两侧的基底上方形成有设定数量的第一源漏接触孔，辅助测试结构包括第二注入阱和位于第二注入阱上方的多个辅助栅极，每个辅助栅极两侧的基底上方形成有设定数量的第二源漏接触孔，辅助栅极与主栅极一一对应，且相对应的辅助栅极和主栅极两侧形成的源漏接触孔的数量不同。利用该测试系统能够提取出栅极到源漏接触孔的寄生电容与源漏接触孔数量的关系，且测试系统的结构简单，有利于节省版图面积。该测试方法利用上述的测试系统测试MOS器件栅极到源漏接触孔的寄生电容。

本发明授权MOS器件的测试系统及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种MOS器件的测试系统，用于测试MOS器件中栅极到源漏接触孔的寄生电容，所述MOS器件包括第二导电类型的注入阱，其特征在于，所述测试系统包括多栅测试结构和辅助测试结构； 所述多栅测试结构包括位于基底中的第一注入阱，所述第一注入阱为第一导电类型注入阱，第一导电类型与第二导电类型相反，所述第一注入阱上方形成有间隔分布的多个主栅极，所述主栅极两侧的基底中均形成有为所述第一导电类型的第一源漏掺杂区，所述第一源漏掺杂区位于所述第一注入阱的顶部，每个所述主栅极两侧的所述第一源漏掺杂区上方形成有设定数量的第一源漏接触孔； 所述辅助测试结构包括位于基底中的第二注入阱，所述第二注入阱为第一导电类型注入阱，所述第二注入阱上方形成有间隔分布的多个辅助栅极，所述辅助栅极两侧的基底中均形成有为所述第一导电类型的第二源漏掺杂区，所述第二源漏掺杂区位于所述第二注入阱的顶部，每个所述辅助栅极两侧的所述第二源漏掺杂区上方形成有设定数量的第二源漏接触孔；一个所述辅助栅极对应一个所述主栅极，每个所述辅助栅极两侧的第二源漏接触孔的数量与对应的所述主栅极两侧的第一源漏接触孔的数量不同； 部分数量的所述主栅极两侧的第一源漏接触孔数量与其余的所述主栅极两侧的第一源漏接触孔数量不同，和或，部分数量的所述辅助栅极两侧的第二源漏接触孔数量与其余的所述辅助栅极两侧的第二源漏接触孔数量不同。

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