长江存储科技有限责任公司张中获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295555B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210962482.3，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权存储器件及其制造方法是由张中;张坤;周文犀;夏志良设计研发完成，并于2020-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种存储器件包括：衬底；以及堆叠结构，其包括交替地布置的第一电介质层和电极层。在第一横向方向上，所述存储器件包括中间区和阵列区。在第二横向方向上，所述堆叠结构包括各自包括壁结构区的第一块存储区和第二块存储区。在所述中间区中，所述第一块存储区和所述第二块存储区的壁结构区被阶梯结构隔开。所述存储器件进一步包括：束结构，其位于所述中间区中，并且包括各自沿所述第二横向方向延伸并且连接所述第一块存储区和所述第二块存储区的所述壁结构区的至少多个分立的第一束结构；以及多个第二电介质层，其位于所述束结构中。在所述第一束结构中，所述第二电介质层是与所述第一电介质层交替的。
本发明授权存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，包括： 堆叠结构，其包括交替地布置的多个第一电介质层和多个电极层，其中： 在第一横向方向上，所述存储器件包括阵列区和布置在所述阵列区之间的中间区，以及 在第二横向方向上，所述堆叠结构包括各自包括壁结构区的第一块存储区和第二块存储区，其中，在所述中间区中，所述第一块存储区和所述第二块存储区的壁结构区被阶梯结构隔开； 束结构，其位于所述中间区中，以及包括沿所述第二横向方向延伸并且连接所述第一块存储区和所述第二块存储区的所述壁结构区的第一束结构；以及 多个第二电介质层，其位于所述束结构中，其中，在所述第一束结构中，所述多个第二电介质层是与所述多个第一电介质层交替的。
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