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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种具有选通与多比特存储功能的阵列集成器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241371B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210930943.9，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种具有选通与多比特存储功能的阵列集成器件及其制备方法是由王天宇;孟佳琳;陈琳;孙清清;张卫设计研发完成，并于2022-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有选通与多比特存储功能的阵列集成器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有选通与多比特存储功能的阵列集成器件及其制备方法。该器件包括：衬底；线状底层电极，形成在衬底上；第一氧化物薄膜层，形成在线状底层电极上；第一掺杂活性金属的氧化物薄膜层，形成在第一氧化物薄膜层上；线状中间层电极，其延伸方向与线状底层电极的延伸方向垂直，形成在第一掺杂活性金属的氧化物薄膜层上；第二氧化物薄膜层，形成在线状中间层电极上；第二掺杂活性金属的氧化物薄膜层，形成在第二氧化物薄膜层上；线状顶层电极，其延伸方向与线状中间层电极的延伸方向垂直，对器件线状顶层电极施加电压时，通过顶层器件的选通作用，实现对直接相连的存储器的激励效果，获得器件的多态存储功能。

本发明授权一种具有选通与多比特存储功能的阵列集成器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有选通与多比特存储功能的阵列集成器件，其特征在于， 包括： 衬底； 线状底层电极，多根线状底层电极相互间隔，平行排列，形成在所述衬底上； 第一氧化物薄膜层，形成在所述线状底层电极上； 第一掺杂活性金属的氧化物薄膜层，形成在所述第一氧化物薄膜层上； 线状中间层电极，多根线状中间层电极相互间隔，平行排列，且其延伸方向与所述线状底层电极的延伸方向垂直，形成在所述第一掺杂活性金属的氧化物薄膜层上； 第二氧化物薄膜层，形成在所述线状中间层电极上； 第二掺杂活性金属的氧化物薄膜层，形成在所述第二氧化物薄膜层上； 线状顶层电极，多根线状顶层电极相互间隔，平行排列，且其延伸方向与线状中间层电极的延伸方向垂直，形成在所述第二掺杂活性金属的氧化物薄膜层上， 对器件线状顶层电极施加电压时，基于活性金属原子的浓度差，通过顶层器件的选通作用，实现对直接相连的存储器的激励效果，获得器件的多态存储功能，在同一器件单元实现选通的效果以及多比特存储的功能。

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