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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利阻性器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899313B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210563432.8，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权阻性器件及其制备方法是由李少青;周维亚;王艳春;解思深设计研发完成，并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本阻性器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种阻性器件及其制造方法，包括：基于张量的多维模型预测所述阻性器件的阻变材料的相变所引起的相变过程的电阻值；根据预测结果制造所述阻性器件。本发明的上述方法，通过引入张量抽象地描述材料，可大幅减少预测所需的计算量；同时，通过依次改变张量元的值以模拟材料逐渐发生相变过程，并追踪过程中材料整体电阻的变化，预测其行为，解决了依赖相变材料的阻性器件沟道行为复杂、非线性，难以预测的问题。上述方法简单易行，且预测较为有效，具有广阔的应用前景。

本发明授权阻性器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阻性器件的制造方法，包括： 基于张量的多维模型预测所述阻性器件的阻变材料的相变所引起的相变过程的电阻值；以及 根据预测结果制造所述阻性器件；其中， 基于张量的多维模型预测所述阻性器件的阻变材料的相变所引起的相变过程的电阻值的步骤包括： 建立N×M×P的三阶张量Tstate，并将所述阻变材料的各处物相状态一一映射到所述三阶张量Tstate，其中，N、M、P∈ℕ； 调控所述阻变材料各处的物相状态，且在每次调控时迭代所述三阶张量Tstate，得到N×M×P个更新的三阶张量Tstate； 基于预设的映射关系针对各个所述三阶张量Tstate的张量元重新赋值，从而将各个所述三阶张量Tstate一一映射到N×M×P个N×M×P的三阶张量TR，使N×M×P个所述三阶张量TR记录所述阻变材料各处的相变过程的电阻值；以及 根据各个所述三阶张量TR计算所述阻变材料的各个相变过程的等效电阻，从而得到所述阻变材料的各个相变过程的电阻值；其中， 建立N×M×P的三阶张量Tstate，并将所述阻变材料的各处物相状态一一映射到所述三阶张量Tstate的步骤包括： 测量所述阻变材料的长度、宽度和高度，分别记为L、W、H，预设空间精度a，则所述N=roundLa，所述M=roundWa，所述P=roundHa，其中，所述a为长度量纲，a0且a∈ℝ； 测量所述阻变材料相变过程中出现的所有物相，从初态至末态依次记为P0，P1，…，Pnn∈ℕ，则所述三阶张量Tstate的张量元的取值分别为0,1,2，…，n，且所述三阶张量Tstate的各个张量元的取值与所述阻变材料的所有物相按顺序一一对应，所述三阶张量Tstate的张量元的指标代表该张量元所对应的材料位置； 调控所述阻变材料各处的物相状态，且在每次调控时迭代所述三阶张量Tstate，在N×M×P次调控使材料各处均处于终态物相时，得到共N×M×P个更新的三阶张量Tstate的步骤包括： 在所有非空元的张量元中，随机地选中一个张量元，若被选中的张量元的取值n，则将其取值加1，得到一个更新的三阶张量Tstate，若被选中的张量元的取值为n，则重新随机地选中一个张量元，并做上述判定，直到选中一个取值为非n的张量元；当所有张量元的取值为n时，结束调控；且 本步骤中，每次调控分别获得一个更新的三阶张量Tstate，N×M×P个所述三阶张量Tstate分别用于描述所述阻变材料从初态到终态所经历的一系列状态；各个张量元被选中的概率相等，或者各个张量元被选中的概率与其描述的阻变材料的物相的电阻率成反比； 基于预设的映射关系针对各个所述三阶张量Tstate的张量元重新赋值的步骤包括： 获取边长为a的立方体形状的阻变材料处于各个物相时的电阻值，记为所述阻变材料的单一晶粒的各个物相的电阻值； 根据所述阻变材料的单一晶粒的各个物相的电阻值针对各个所述三阶张量Tstate的张量元重新赋值，从而得到所述三阶张量TR中张量元的取值；其中， 每个所述三阶张量TR中张量元的取值按照以下方法确定： TRi,j,k=R0×dTstatei,j,k,0+R2×dTstatei,j,k,1+R3×dTstatei,j,k,2+…+Rn×dTstatei,j,k,n 其中di,j为克罗内克积，当且仅当i=j时，其值为1，其余情况的值为0；R0，R1，…，Rn分别为所述阻变材料的各个物相的单一晶粒从初态至末态的电阻值； 根据各个所述三阶张量TR计算所述阻变材料的各个相变过程的等效电阻的步骤包括： 将各个所述三阶张量TR映射为网表文件，交由计算软件进行等效电阻的计算。

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