长江存储科技有限责任公司刘云飞获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储系统、以及三维存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823704B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210440314.8，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权存储系统、以及三维存储器及其制备方法是由刘云飞;赵祥辉设计研发完成，并于2022-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储系统、以及三维存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：存储系统、以及三维存储器及其制备方法。本公开提供了一种三维存储器及其制备方法。本公开还提供了一种存储系统。根据本公开的三维存储器包括：堆叠结构，包括交替堆叠的绝缘层和栅极层，堆叠结构还包括台阶区，台阶区包括沿第一方向排布的多个分区，相邻的两个分区之间具有分界区，每个分区包括沿第二方向设置的多级台阶；在所述分界区内，相邻台阶的交界部位构成交界结构；第一方向与第二方向相互交叉，且分别与绝缘层和栅极层的堆叠方向垂直；以及栅线缝隙结构，栅线缝隙结构贯穿堆叠结构；其中部分栅线缝隙结构位于分界区、并贯穿至少一个交界结构。
本发明授权存储系统、以及三维存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，包括： 堆叠结构，包括交替堆叠的绝缘层和栅极层，所述堆叠结构还包括台阶区，所述台阶区包括沿第一方向排布的多个分区，相邻的两个所述分区之间具有分界区，每个所述分区包括沿第二方向设置的多级台阶；在所述分界区内，相邻台阶的交界部位构成交界结构；所述第一方向与所述第二方向相互交叉，且分别与所述绝缘层和所述栅极层的堆叠方向垂直；以及 栅线缝隙结构，所述栅线缝隙结构贯穿所述堆叠结构；其中部分所述栅线缝隙结构位于所述分界区、并贯穿至少一个所述交界结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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