亚德诺半导体国际无限责任公司J·施密特获国家专利权
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龙图腾网获悉亚德诺半导体国际无限责任公司申请的专利具有磁屏蔽的传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114402212B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080063754.5，技术领域涉及：G01R33/00；该发明授权具有磁屏蔽的传感器是由J·施密特设计研发完成，并于2020-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有磁屏蔽的传感器在说明书摘要公布了：公开磁传感器70。磁传感器可包括传感元件10和磁屏蔽72。传感元件和磁屏蔽可以彼此垂直堆叠。磁屏蔽可以是磁屏蔽板，其包括由非铁磁性材料横向隔开的铁磁性部分。传感元件可以具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。可垂直堆叠在传感元件的第一侧上的磁屏蔽。磁屏蔽可通过隔离层76与传感元件隔开。钝化层78可以覆盖传感元件或磁屏蔽的至少一部分。传感元件可被配置为感测位于传感元件的第二侧上的磁场源的磁场特性。
本发明授权具有磁屏蔽的传感器在权利要求书中公布了：1.一种磁传感器，包括： 磁屏蔽板，具有通过非铁磁材料彼此横向隔开的铁磁部分；和 相对于所述磁屏蔽板垂直地堆叠在所述磁屏蔽板上的磁场传感元件， 其中所述磁屏蔽板被配置为屏蔽磁场的一部分，允许所述磁场的未屏蔽部分相对于所述磁屏蔽板垂直地通过所述磁屏蔽板， 其中所述磁场传感元件被配置为感测所述未屏蔽磁场的磁场特性。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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