富士电机株式会社今川铁太郎获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114144890B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080053170.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置及其制造方法是由今川铁太郎设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置，其具备晶体管部和二极管部，并且具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第一导电型的蓄积区，其在晶体管部和二极管部中设置于比漂移区更靠半导体基板的正面侧的位置；以及第一寿命控制区，其在晶体管部和二极管部中设置于半导体基板的正面侧。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备晶体管部和二极管部，并具备： 第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板； 第一导电型的蓄积区，其在所述晶体管部和所述二极管部中设置于比所述漂移区更靠所述半导体基板的正面侧的位置；以及 第一寿命控制区，其在所述晶体管部和所述二极管部中设置于所述半导体基板的正面侧， 所述蓄积区具有： 第一蓄积区，其设置于比所述漂移区更靠所述正面侧的位置；以及 第二蓄积区，其隔着所述漂移区而设置于所述第一蓄积区的下方， 所述第一蓄积区与所述第二蓄积区的剂量相同，所述第一蓄积区与所述第二蓄积区的剂量的合计为1E12cm-2以上且1E13cm-2以下。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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