日月光半导体制造股份有限公司李哲廷获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体装置封装及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113628831B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010380202.9，技术领域涉及：H01F17/00；该发明授权半导体装置封装及其制造方法是由李哲廷设计研发完成，并于2020-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置封装及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明系关于半导体装置封装及其制造方法。所述半导体装置封装包括具有第一表面及与所述第一表面相对之第二表面的衬底。所述半导体装置封装还包括第一电性传导层，设置于所述衬底之所述第一表面上方；及绝缘层，设置于所述衬底之所述第一表面上方。所述半导体装置封装还包括磁性传导层，设置于所述第一电性传导层与所述绝缘层之间。所述磁性传导层具有面对所述衬底之所述第一表面的底表面、与所述衬底之所述第一表面相对之顶表面、及在所述磁性传导层之所述底表面与所述磁性传导层之所述顶表面之间延伸的侧表面。本揭露的另一实施例涉及一种半导体装置封装之制造方法。
本发明授权半导体装置封装及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置封装，包含： 衬底，具有核心层、设置于所述核心层上的第一介电层、及设置于所述第一介电层上的第二介电层； 第一电性传导层，设置于所述衬底之所述核心层上方并由所述第一介电层覆盖； 第二电性传导层，设置于所述衬底上方，并透过第一传导柱连接所述第一电性传导层，其中所述第一传导柱穿过所述第二介电层及所述第一介电层； 绝缘层，设置于所述衬底上方；及 第一磁性传导层，设置于所述第二电性传导层与所述绝缘层之间；及 第二磁性传导层，设置于所述绝缘层中，并与所述第一磁性传导层透过所述绝缘层隔开。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人日月光半导体制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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