株式会社东金幕田裕和获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东金申请的专利稀土钴永磁体、其制造方法和装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113205935B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110088593.1,技术领域涉及:H01F1/055;该发明授权稀土钴永磁体、其制造方法和装置是由幕田裕和;町田浩明;藤原照彦;金森悠设计研发完成,并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本稀土钴永磁体、其制造方法和装置在说明书摘要公布了:提供了具有优异磁特性的稀土钴永磁体、这种稀土钴永磁体的制造方法以及装置。稀土钴永磁体由以下成分组成:23至27质量%的R、1.0至5.0质量%的Cu、18至25质量%的Fe、1.5至3.0质量%的Zr和作为余量的Co以及不可避免的杂质,R表示至少包括Sm的稀土元素,其中稀土钴永磁体包含多个晶粒和晶界部分,并且在晶界部分中,Cu的浓度至少为Zr的浓度的两倍。
本发明授权稀土钴永磁体、其制造方法和装置在权利要求书中公布了:1.一种稀土钴永磁体,其由以下成分组成:23至27质量%的R、1.0至5.0质量%的Cu、18至21.55质量%的Fe、1.5至2.2质量%的Zr和作为余量的Co以及不可避免的杂质,R表示至少包括Sm的稀土元素,其中 所述稀土钴永磁体包含多个晶粒和晶界部分, 在所述晶界部分中,Cu的浓度至少为Zr的浓度的三倍, 其中本征矫顽力Hcj为240kAm至4.1×1034πkAm,并且 其中表示剩余磁化强度为90%时的磁场Hk与本征矫顽力Hcj之比HkHcj的矩形比在退磁曲线中等于或高于60%,并且 当所述稀土钴永磁体从超过退磁曲线中的拐点的退磁场中重新磁化时,在等于或弱于本征矫顽力Hcj五倍的磁场中获得等于或高于95%的饱和磁化强度的磁化强度,并且 其中构成晶粒的晶胞结构的尺寸为50nm至200nm。
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