东京毅力科创株式会社横山乔大获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利蚀刻方法及等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786440B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011215778.6，技术领域涉及：H10P50/20；该发明授权蚀刻方法及等离子体处理装置是由横山乔大;户村幕树;木原嘉英;须田隆太郎;大类贵俊设计研发完成，并于2020-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻方法及等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内准备基板的工序。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括通过来自在腔室内由处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻的工序。处理气体包含卤素元素及磷。
本发明授权蚀刻方法及等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻方法，其包括： 在等离子体处理装置的腔室内准备基板的工序，其中，该基板包括含硅膜，该含硅膜包括氧化硅膜的单层膜、和包括氧化硅膜与氮化硅膜的交替层叠的多层膜；及 通过来自在所述腔室内由处理气体形成的等离子体的化学物种来对所述含硅膜进行蚀刻的工序，其中，所述处理气体包含氟化氢、除氟化氢以外的含卤素分子及磷， 所述处理气体包含作为所述磷的来源的含磷气体， 以所述多层膜的蚀刻速率与所述氧化硅膜的所述单层膜的蚀刻速率之比成为0.8以上且1.2以下的方式，将所述含磷气体的流量与所述处理气体的总流量的比例设定为10％以上且50％以下。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东京毅力科创株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励