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龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种用于Micro LED键合的抗柯肯达尔效应金属层结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224154585U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521095463.0，技术领域涉及：H10H29/49；该实用新型一种用于Micro LED键合的抗柯肯达尔效应金属层结构是由张宇;黄振;于建强;余鹿鸣;丁香荣;栾太鹏;郑鹏远;王程功设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于Micro LED键合的抗柯肯达尔效应金属层结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种用于MicroLED键合的抗柯肯达尔效应金属层结构，包括CMOS侧第一金属层和外延侧第二金属层，且两者通过共晶键合连接形成整体结构；所述CMOS侧第一金属层包括硅基CMOS、基底保护层、第一粘附保护叠层、第一相变合金层和表面增强层；所述外延侧第二金属层包括外延片、导电层、阻挡保护层、第二粘附保护叠层和第二相变合金层；本申请通过预相变处理，键合界面空洞率较传统单层Au‑Sn键合大幅度，热阻也大幅度降低，有效改善器件散热；多层结构设计结合激光清洗效应，使20μm以下MicroLED键合良率大大的提升，满足量产需求；各层厚度及沉积工艺可灵活调整，适配不同尺寸MicroLED芯片及键合设备，具有广泛的工程应用价值。

本实用新型一种用于Micro LED键合的抗柯肯达尔效应金属层结构在权利要求书中公布了：1.一种用于MicroLED键合的抗柯肯达尔效应金属层结构，其特征在于：包括CMOS侧第一金属层和外延侧第二金属层，且两者通过共晶键合连接形成整体结构； 所述CMOS侧第一金属层包括硅基CMOS、基底保护层、第一粘附保护叠层、第一相变合金层和表面增强层； 所述基底保护层沉积设置在所述硅基CMOS的上表面； 所述第一粘附保护叠层沉积设置在所述基底保护层的上表面； 所述第一相变合金层沉积设置在所述第一粘附保护叠层的上表面； 所述表面增强层蒸镀设置在所述第一相变合金层的上表面； 所述外延侧第二金属层包括外延片、导电层、阻挡保护层、第二粘附保护叠层和第二相变合金层； 所述导电层蒸镀设置在所述外延片的上表面； 所述阻挡保护层沉积设置在所述导电层的上表面； 所述第二粘附保护叠层设置在所述阻挡保护层的上表面； 所述第二相变合金层沉积设置在所述第二粘附保护叠层的上表面。

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