兰州交通大学刘虎获国家专利权
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龙图腾网获悉兰州交通大学申请的专利一种基于无掺杂隧穿场效应晶体管的垂直生物传感器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224152405U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520781589.7，技术领域涉及：G01N27/22；该实用新型一种基于无掺杂隧穿场效应晶体管的垂直生物传感器是由刘虎;雷熠凡;潘磊设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于无掺杂隧穿场效应晶体管的垂直生物传感器在说明书摘要公布了：本实用新型涉及微电子器件技术领域，尤其涉及一种基于无掺杂隧穿场效应晶体管的垂直生物传感器，包括：水平沟道层；竖直沟道层，垂直固定设置在所述水平沟道层表面的中间位置，所述竖直沟道层与所述水平沟道层对应位置的底端开设有U形凹槽；阻挡层，嵌设在所述U形凹槽内；介质层，包括第一介质层和第二介质层，所述第一介质层和第二介质层为L形结构，所述第一介质层和第二介质层分别固定设置在所述水平沟道层和竖直沟道层两侧的相邻面；栅极，固定设置在所述介质层远离所述水平沟道层和竖直沟道层的一面；电极，固定设置在所述水平沟道层的两侧壁。本实用新型主体材料采用窄带隙直接隧穿型半导体材料，提高器件中的电子隧穿率，减小器件发热，减小了因发热导致的生物空腔内生物分子介电常数的变化，提高了器件检测的稳定性。
本实用新型一种基于无掺杂隧穿场效应晶体管的垂直生物传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于无掺杂隧穿场效应晶体管的垂直生物传感器，其特征在于，包括： 水平沟道层1； 竖直沟道层2，垂直固定设置在所述水平沟道层1表面的中间位置，所述竖直沟道层2与所述水平沟道层1对应位置的底端开设有U形凹槽； 阻挡层3，嵌设在所述U形凹槽内； 介质层4，包括第一介质层和第二介质层，所述第一介质层和第二介质层为L形结构，所述第一介质层和第二介质层分别固定设置在所述水平沟道层1和竖直沟道层2两侧的相邻面； 栅极5，固定设置在所述介质层4远离所述水平沟道层1和竖直沟道层2的一面； 电极6，固定设置在所述水平沟道层1的两侧壁。
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