合肥工业大学许高斌获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利基于磁流变液刚性可调的神经探针及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121714272B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610221959.0，技术领域涉及：A61B5/262；该发明授权基于磁流变液刚性可调的神经探针及其制备方法是由许高斌;唐飞翔;段子豪;马渊明;陈兴;孙百川;关存贺;魏伟设计研发完成，并于2026-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于磁流变液刚性可调的神经探针及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于磁流变液刚性可调的神经探针，包括：MRF基底用于在外部磁场作用下通过调整磁性颗粒以毫米级的速度形成强化链状结构形成不同的刚度；PDMS封装层，用于对MRF基底进行封装，防止MRF基底泄露；电磁屏蔽层用于滤除外界环境电磁噪声对基底的影响；电极层，用于接收神经信号并与外部设备连接且适应MRF基底在磁场作用下刚度调整而弯曲变形撤除磁场后复位；生物封装层用于确保探针的整体结构完整并减小对脑组织的刺激。本发明通过基于磁流变液的动态刚度调控机制，结合蛇形电极与电磁屏蔽集成设计，实现了探针刚度在80kPa至5GPa范围内的外部磁场实时可逆调节，既保障了植入穿刺的可靠性，又显著降低了长期植入的炎症反应和免疫排斥。
本发明授权基于磁流变液刚性可调的神经探针及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于磁流变液刚性可调的神经探针，其特征在于，包括： MRF基底1，用于在外部磁场作用下通过调整磁性颗粒以毫米级的速度形成强化链状结构形成不同的刚度； PDMS封装层2，用于对所述MRF基底1进行封装，防止MRF基底1泄露，所述MRF基底1位于所述PDMS封装层2的内部； 电磁屏蔽层3，包覆所述PDMS封装层2的外部，用于滤除外界环境电磁噪声对基底的影响； 电极层4，用于接收神经信号并与外部设备连接且适应所述MRF基底1在磁场作用下刚度调整而弯曲变形撤除磁场后复位，所述电极层4为两组分别设置在所述电磁屏蔽层3的两侧； 生物封装层5，位于所述电磁屏蔽层3和所述电极层4的外部且对应所述电极层4信号探测处开设有开口，所述生物封装层5用于确保探针的整体结构完整并减小对脑组织的刺激。
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