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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种用于硅片表面刻蚀的光照装置、使用方法及刻蚀系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121548237B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610063657.5，技术领域涉及：H10P50/64；该发明授权一种用于硅片表面刻蚀的光照装置、使用方法及刻蚀系统是由沈娅;杨昱霖;许超;陈月月设计研发完成，并于2026-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于硅片表面刻蚀的光照装置、使用方法及刻蚀系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制备领域，具体涉及一种用于硅片表面刻蚀的光照装置、使用方法及刻蚀系统；承载台，用于承放多个硅片；光源，多个光源位于承载台正上方设置，用于对硅片的表面进行光照；液晶遮光板，设于硅片与光源之间，所述液晶遮光板的透光率可通过电信号调节；控制单元，用于控制液晶遮光板的透光率，使得光源发出的光经过液晶遮光板后，在硅片表面形成多个光照区域;本发明的光照装置能控制硅片表面不同区域的TMAH刻蚀速率，直接提升了产品的TTV性能，确保了晶圆表面在刻蚀后的平整度，有效提高后续工艺的稳定性和产品质量，同时也显著提升了产品的良品率，进一步降低了生产过程中的材料成本。

本发明授权一种用于硅片表面刻蚀的光照装置、使用方法及刻蚀系统在权利要求书中公布了：1.一种用于硅片表面刻蚀的光照装置，其特征在于，包括： 承载台3，用于承放多个硅片； 光源1，多个光源1位于承载台3正上方设置，用于对硅片的表面进行光照； 液晶遮光板2，设于硅片与光源1之间，所述液晶遮光板2的透光率能够通过电信号调节； 控制单元，用于控制液晶遮光板2的透光率，使得光源1发出的光经过液晶遮光板2后，在硅片表面形成多个光照区域；所述控制单元包括依次相连的传输模块、数据处理模块以及光强处理模块； 传输模块，用于获取硅片表面各光照区域的厚度测量数据； 数据处理模块，用于根据各光照区域的厚度测量数据确定各光照区域对应的刻蚀速率，基于刻蚀速率确定各光照区域所需的光照强度； 光强处理模块，用于根据各光照区域所需的光照强度与光源强度，计算液晶遮光板2上对应透光区域的透光率，并生成控制信号； 光源1与液晶遮光板2的数量相同且一一对应设置； 每个液晶遮光板2上设有一个透光区域，每个透光区域被配置为允许与该透光区域对应的光源1发出的光导向硅片表面，在硅片表面形成多个光照区域中的一个。

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