厦门银科启瑞半导体科技有限公司王玉获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门银科启瑞半导体科技有限公司申请的专利一种抗辐照太阳电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121368218B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511925671.3，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种抗辐照太阳电池是由王玉;张银桥;夏宏营;丁杰;曾世煜;吴志鹏设计研发完成，并于2025-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抗辐照太阳电池在说明书摘要公布了：一种抗辐照太阳电池，包括第一电池，第一电池包括：第一P型基区和第一N型发射区，二者构成第一PN结；量子阱，位于第一P型基区之内，且位置远离第一P型基区与第一N型发射区之间所形成的第一PN结界面；P型掺杂，掺杂在量子阱区域，其面掺杂浓度沿远离第一PN结界面的方向呈递增分布，从而在量子阱区域内形成一个辅助内建电场，该辅助内建电场的方向被配置为促进光生少子向第一PN结界面漂移。对太阳能电池的量子阱设置进行优化，以满足高转换效率与高抗辐照能力的双重需求。
本发明授权一种抗辐照太阳电池在权利要求书中公布了：1.一种抗辐照太阳电池，其特征在于，包括第一电池1，第一电池1包括： 第一P型基区2和第一N型发射区3，二者构成第一PN结； 量子阱，位于第一P型基区2之内，且位置远离第一P型基区2与第一N型发射区3之间所形成的第一PN结界面4； P型掺杂，掺杂在量子阱区域，其面掺杂浓度沿远离第一PN结界面4的方向呈递增分布，从而在量子阱区域内形成一个辅助内建电场，该辅助内建电场的方向被配置为促进光生少子向第一PN结界面4漂移； 所述量子阱距离所述第一PN结界面4至少500纳米； 所述量子阱为包含交替堆叠的阱层和垒层的多量子阱结构； 从靠近所述第一PN结界面4的一侧至远离的一侧，所述阱层的P型掺杂的面掺杂浓度从0.5-3×1016cm-2梯度递增至0.5-3×1017cm-2，所述垒层的P型掺杂的面掺杂浓度从0.5-3×1017cm-2梯度递增至0.5-1.5×1018cm-2。
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