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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310674B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511883302.2，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种半导体结构及其制备方法是由王冉;遇鑫遥;杨智强;林祐丞;詹朝翔设计研发完成，并于2025-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：基底、格栅结构及滤光单元，其中，基底包括多个间隔设置且呈阵列排布的像素单元；格栅结构位于所述基底上方，所述格栅结构包括多个格栅开口以及环绕所述格栅开口的格栅框架，所述格栅框架内设置有全反射部，且所述格栅开口在所述基底上的正投影与所述像素单元在所述基底上的正投影重合；滤光单元位于所述基底上方且位于所述格栅开口中。本申请的半导体结构及其制备方法在减少光串扰的同时能够不牺牲感光性能，提升图像传感器的成像清晰度与信噪比，还具有较高的结构稳定性。

本发明授权一种半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供基底，所述基底包括多个间隔设置且呈阵列排布的像素单元； 于所述基底上方形成格栅结构，所述格栅结构包括多个格栅开口以及环绕所述格栅开口的格栅框架，所述格栅框架内设置有全反射部，且所述格栅开口在所述基底上的正投影与所述像素单元在所述基底上的正投影重合； 所述于所述基底上方形成格栅结构，包括： 于所述基底上方形成格栅材料层； 于所述格栅材料层中形成格栅沟槽，所述格栅沟槽位于所述基底的未设置所述像素单元的区域上方； 形成填充所述格栅沟槽的填充层； 形成覆盖所述格栅材料层及所述填充层的第一覆盖层； 于所述第一覆盖层及所述格栅材料层中形成格栅开口，所述格栅开口在所述基底上的正投影与所述像素单元在所述基底上的正投影重合，且形成所述格栅开口后剩余的所述第一覆盖层及所述格栅材料层呈网格状交叉连接； 去除位于所述格栅沟槽内的所述填充层； 于所述第一覆盖层上方形成密封所述格栅沟槽的第二覆盖层，其中，呈网格状交叉连接的所述格栅材料层、所述第一覆盖层及所述第二覆盖层构成所述格栅框架，所述格栅框架中密闭的所述格栅沟槽构成所述全反射部； 所述去除位于所述格栅沟槽内的所述填充层，包括： 于形成所述格栅开口后剩余的所述第一覆盖层的交叉连接处形成开口部，且所述开口部的底部至少显露出所述填充层的上表面； 基于所述开口部去除所述填充层； 所述填充层的材质包括有机聚合物，其中，所述基于所述开口部去除所述填充层，包括； 采用灰化工艺，基于所述开口部去除所述填充层； 于所述基底上方的所述格栅开口中形成滤光单元。

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