苏州焜原光电有限公司陈超获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州焜原光电有限公司申请的专利一种短波红外探测器数字合金材料及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121262924B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511816316.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种短波红外探测器数字合金材料及其制备工艺是由陈超;钱程;陈意桥设计研发完成，并于2025-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种短波红外探测器数字合金材料及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明提供了一种短波红外探测器数字合金材料及其制备工艺，包括以下步骤：在n型GaSb衬底表面生长GaSb缓冲层；开启第一个In炉，配合As束流，在GaSb缓冲层的表面生长InAs层；开启第二个In炉，配合Ga炉及AsSb束流，在InAs层表面生长匹配GaSb缓冲层晶格的四元固溶体层；在四元固溶体层表面上交替生长InAs层和四元固溶体层，生成超晶格结构，直至超晶格结构的总厚度达到设定目标厚度，得到数字合金材料。本发明提供的一种短波红外探测器数字合金材料及其制备工艺，能够将短波红外探测器在50%截止波长拓展至2.4微米至2.8微米波段。
本发明授权一种短波红外探测器数字合金材料及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种短波红外探测器数字合金材料的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤： 在n型GaSb衬底表面生长GaSb缓冲层； 开启第一个In炉，配合As束流，在所述GaSb缓冲层的表面生长InAs层1； 开启第二个In炉，配合Ga炉及经AsSb比例校准的AsSb束流，在所述InAs层1表面生长匹配所述GaSb缓冲层晶格的InxGa1-xAsx-0.01Sb1.01-x四元固溶体层2；其中，In的组分参数x满足0.08≤x≤0.2； 在所述四元固溶体层2表面上交替生长所述InAs层1和所述四元固溶体层2，生成超晶格结构，直至所述超晶格结构的总厚度达到设定目标厚度，得到数字合金材料；其中，所述超晶格结构的超晶格周期p满足3nm≤p≤4nm，所述超晶格周期p为一层所述InAs层1和一层所述四元固溶体层2的厚度之和。
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