合肥晶合集成电路股份有限公司陈维邦获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121262905B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511797745.X，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器是由陈维邦设计研发完成，并于2025-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器在说明书摘要公布了：本公开涉及一种背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器，涉及集成电路技术领域，包括：提供衬底，于衬底的背面形成第一半导体层，第一半导体层内包括间隔排布的多个底光敏叠层，底光敏叠层包括沿背离衬底的方向依次层叠的第一子光敏层、第二子光敏层及第三子光敏层；形成覆盖多个底光敏叠层的第二半导体层，第二半导体层内包括间隔排布的多个桥接部，多个桥接部贯穿第二半导体层、第三子光敏层，并延伸至多个第二子光敏层内部；形成覆盖多个桥接部的第三半导体层，第三半导体层内包括间隔排布的多个光敏盖层，多个光敏盖层嵌入第三半导体层并覆盖接触多个桥接部。至少能够增加感光区域的电子浓度，提高BSI图像传感器的感光性能。
本发明授权背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，于所述衬底的背面形成第一半导体层，所述第一半导体层内包括间隔排布的多个底光敏叠层，所述多个底光敏叠层贯穿所述第一半导体层并延伸至所述衬底，所述底光敏叠层包括沿背离所述衬底的方向依次层叠的第一子光敏层、第二子光敏层及第三子光敏层； 形成覆盖所述多个底光敏叠层的第二半导体层，所述第二半导体层内包括间隔排布的多个桥接部，所述多个桥接部贯穿所述第二半导体层、所述第三子光敏层，并延伸至多个所述第二子光敏层内部； 形成覆盖所述多个桥接部的第三半导体层，所述第三半导体层内包括间隔排布的多个光敏盖层，所述多个光敏盖层嵌入所述第三半导体层并覆盖接触所述多个桥接部；所述桥接部与其接触连接的底光敏叠层、光敏盖层构成光敏叠层，所述光敏叠层与层叠的第一半导体层、第二半导体层及第三半导体层之间经由PN结隔离。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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