台湾积体电路制造股份有限公司黄翔生获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利电阻传感器结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224136627U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520562091.1，技术领域涉及：G01D5/16；该实用新型电阻传感器结构是由黄翔生;张维仁;邱品杰;江宗士设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本电阻传感器结构在说明书摘要公布了：本实用新型的实施例提供一种电阻传感器结构包括第一薄膜电阻器、与第一薄膜电阻器串联电性耦合的多个第二薄膜电阻器以及与第一薄膜电阻器串联电性耦合的多个控制栅极，其中多个第二薄膜电阻器串联电性连接，多个控制栅极串联电性耦合，并且多个控制栅极中的相应一者与多个第二薄膜电阻器中的相应一者并联电性耦合。电阻传感器结构的电阻可被调谐或微调以补偿半导体制造变化和或实现电阻传感器结构的灵活使用。
本实用新型电阻传感器结构在权利要求书中公布了：1.一种电阻传感器结构，其特征在于，包括： 第一薄膜电阻器； 多个第二薄膜电阻器，与所述第一薄膜电阻器串联电性耦合，其中所述多个第二薄膜电阻器串联电性连接；以及 多个控制栅极，与所述第一薄膜电阻器串联电性耦合，其中所述多个控制栅极串联电性耦合，并且所述多个控制栅极中的相应一者与所述多个第二薄膜电阻器中的相应一者并联电性耦合。
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