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龙图腾网获悉碳芯微电子科技(深圳)有限公司申请的专利一种基于SOC驱动映射调整的DRAM失效单元修复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121096405B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511642982.9，技术领域涉及：G11C29/44；该发明授权一种基于SOC驱动映射调整的DRAM失效单元修复方法是由杨小波;陆江;苏晓峰设计研发完成，并于2025-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SOC驱动映射调整的DRAM失效单元修复方法在说明书摘要公布了：本发明涉及DRAM存储器修复技术领域，具体为一种基于SOC驱动映射调整的DRAM失效单元修复方法。本发明通过测试设备检测DRAM颗粒中失效CELL单元的物理地址，生成修复映射数据；将修复映射数据以二维码形式记录在DRAM颗粒表面并存储至非易失性存储器；SOC启动时加载修复映射数据至驱动程序；通过驱动程序同步修改MMU和IOMMU的地址映射关系，将对失效物理地址的访问重定向至备用物理地址。本发明通过在驱动层面同时修改MMU和IOMMU映射，实现了CPU和DMA设备访问路径的统一地址重映射，使包含失效单元的DRAM颗粒可降容使用，大幅降低PCBA成本，且无需硬件改动，实施灵活。

本发明授权一种基于SOC驱动映射调整的DRAM失效单元修复方法在权利要求书中公布了：1.一种基于SOC驱动映射调整的DRAM失效单元修复方法，其特征在于，包括： S100：检测DRAM颗粒中失效CELL单元的物理地址，根据所述失效CELL单元的物理地址生成修复映射数据； S200：将所述修复映射数据以可识别形式记录在DRAM颗粒上或与DRAM颗粒关联，并将所述修复映射数据存储至非易失性存储器； S300：SOC启动时从所述非易失性存储器加载修复映射数据至驱动程序，具体包括： 对修复映射数据进行完整性和有效性校验； 将修复映射数据同时加载至用于修改MMU映射的第一驱动模块和用于修改IOMMU映射的第二驱动模块； 驱动加载完成后执行验证测试，确认地址映射表已正确加载至MMU和IOMMU中； S400：通过所述驱动程序修改MMU中虚拟地址到物理地址的映射关系，以及修改IOMMU中设备地址到物理地址的映射关系，将对失效物理地址的访问重定向至备用物理地址，实现对包含失效CELL单元的DRAM颗粒的正常使用。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人碳芯微电子科技(深圳)有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区南湾街道上李朗社区平吉大道61号上李朗智创园4栋厂房301；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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