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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利半导体器件的制造方法及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121013394B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511062503.6，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件的制造方法及半导体工艺设备是由贾云龙设计研发完成，并于2025-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制造方法及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件的制造方法及半导体工艺设备。半导体器件的制造方法包括：提供衬底，衬底具有若干叠层结构，叠层结构包括由内而外设置的半导体沟道层、栅极介电层、第一功函数层和第二功函数层；形成第一填充层，以覆盖各叠层结构；去除第一填充层对应第一分区的部分；第一分区内存在部分叠层结构；在第一工艺条件下，对第一分区内的第二功函数层进行刻蚀，以暴露第一分区内的第一功函数层；去除剩余的第一填充层。本发明提供的半导体器件的制造方法，能够获得至少两种具有各自不同阈值电压的栅极结构，无需对具有不同阈值电压的栅极结构分别进行制备，可显著降低工艺复杂性和成本。

本发明授权半导体器件的制造方法及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底，所述衬底具有若干叠层结构，所述叠层结构包括由内而外设置的半导体沟道层、栅极介电层、第一功函数层和第二功函数层； 第二填充步，形成第二填充层，以覆盖各所述叠层结构； 第二部分去除步，去除所述第二填充层对应第二分区的部分； 第二刻蚀步，在第二工艺条件下，对所述第二分区内的所述第二功函数层进行刻蚀，以暴露所述第二分区内的所述第一功函数层； 第二剩余去除步，去除剩余的所述第二填充层； 第一填充步，形成第一填充层，以覆盖各所述叠层结构； 第一部分去除步，去除所述第一填充层对应第一分区的部分；其中，所述第一分区内存在部分所述叠层结构； 第一刻蚀步，在第一工艺条件下，对所述第一分区内的所述第二功函数层进行刻蚀，以暴露所述第一分区内的所述第一功函数层； 第一剩余去除步，去除剩余的所述第一填充层； 其中，所述第二功函数层含有W；在所述第一刻蚀步中，所述第二功函数层中的部分W能够扩散至所述第一功函数层，所述第一刻蚀步中暴露出的所述第一功函数层中W的浓度为第一浓度；在所述第二刻蚀步中，所述第二功函数层中的部分W能够扩散至所述第一功函数层，所述第二刻蚀步中暴露出的所述第一功函数层中W的浓度为第二浓度，所述第二浓度大于所述第一浓度。

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