泉州三安半导体科技有限公司胡鹏杰获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州三安半导体科技有限公司申请的专利一种发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121001470B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511517993.4，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种发光二极管及发光装置是由胡鹏杰;洪正道;柯韦帆;彭钰仁;郭桓邵;林仕尉;丘建生;韩雪松设计研发完成，并于2025-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种发光二极管及发光装置，发光二极管的半导体外延叠层由隔离槽分隔为第一台面和第二台面，隔离槽处所暴露的第二半导体层形成为电极台面，发光二极管的第二焊盘电极形成在电极台面处，并且自电极台面延伸至少覆盖第二台面的上表面，进一步地，第二焊盘电极自电极台面延伸至第二台面的上表面以及与隔离槽相对的外侧壁、第一台面靠近隔离槽的上表面的边缘区域。由于第二台面和第一台面处于相同高度，由此使得第二焊盘电极至少部分与第一台面上方的第一焊盘电极处于相同高度，在后续焊接时，第二焊盘电极更容易与焊料接触，焊料更容易填充至隔离槽处与该处的第二焊盘电极接触，因此能够避免出现虚焊，提高发光二极管的可靠性。
本发明授权一种发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，至少包括： 半导体外延叠层，所述半导体外延叠层包括依次层叠的第二半导体层、有源层和第一半导体层； 隔离槽，在所述半导体外延叠层的堆叠方向上，贯穿所述第一半导体层及所述有源层，所述隔离槽将所述半导体外延叠层划分为相互独立的第一台面和第二台面，所述第二台面和所述第一台面处于相同高度，所述隔离槽所暴露的所述第二半导体层形成为电极台面，所述第一台面为所述发光二极管的发光台面； 第一焊盘电极，形成于所述第一台面上与所述第一半导体层电连接； 第二焊盘电极，形成于所述电极台面上与所述第二半导体层电连接，所述第二焊盘电极自所述电极台面延伸至至少覆盖所述第二台面的上表面，使得所述第二焊盘电极至少部分与第一台面上方的第一焊盘电极处于相同高度。
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